550+kV+GIS与HGIS的VFTO特性研究.pdfVIP

·8· 2009输变电年会论文集 550kVGIS和HGIS的VFTO特性研究 孙维，庚振新，林莘，徐建源 (沈阳工业大学，沈阳110178) kV 摘要：为确保超高压电网安全可靠的运行，对550 GIS和HGIS变电所在多种出线和操作方式下产 Fast 生的VglO(Very 中VglO的影响很小，基本可以忽略；但在HGIS中入口电容对变压器处的VFTO的影响却很明显。 关键词：550kVGIS；HGIS；vgro；并联电阻；入口电容 onVFTOof550kVGISandHGISSubstaion Study ordertoensuresafe ofUHV calculatedFast Abstract：In running system，thepaper Very Over—voltage dueto ofdisconnectorin550kVGISandHGIS thein— (VFTO)generatedoperation respectively，andanalyzed fluenceof as resistance，entrance resultsshowthatshuntresistance parameters，suchclosing capacitance．The couldrestrainVm influenceofentrance toVminGISistoo the effectively．The capacitance small．while influencetoVFTOontransformeriSobvious． kV fasttransient words：550 Key GIS；HGIS；very over—voltage；shuntresistance；entrancecapacitor 1 引言 线组合在一起，具有体积小、技术性能优良的特点。而HGIS是以sF。断路器为核心，集隔离开关、接地开 关、电流互感器为一体的sF6气体绝缘开关，具有占地面积小，综合经济效益高等特点。VFYO是一种由 于隔离开关例行操作而引起的暂态过电压。由于GIS、HGIS在结构上的不同，在其操作时产生的VFYO 为GIS、HGIS的实际应用及设计提供参考。 2 VFTO产生原理和特性 能力决定了设备中的sF。间隙击穿有其自身的特点。 kV 在550 GIS和HGIS系统中，隔离开关由于其分合速度慢，灭弧性能差，在分合闸带电母线操作过 程中，会出现多次预击穿或重击穿现象，而在隔离开关一次切合操作中这样的击穿要发生数百次。触头 550kVGIS ·9· 7rffHGIS的VFTO特性研究 HGIS相连接的外部电气设备上。行波的幅值取决于击穿前触头间的电位差及母线的波阻抗。这些高频 会产生VFTO过电压。 VFFO的特性： (1)幅值。vFro一般小于2．0 P．U．，有时也可能大于2．5p．u．。 (2)陡度。隔离开关断口击穿时会在几纳秒内建立火花导电通道，在均匀或稍不均匀电场中通道形 成VFTO，VFrO冲击波的上升时间为 t，=13．3k。／(au／1) (1) 式中，t，一般为3～20 118，随电场的非均匀度而变化；火花常数k。=50kV·ns／cm；Au为击穿前电压，单