基于半导体纳米结构的太赫兹波辐射和探测理论研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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基于半导体纳米结构的太赫兹波辐射和探测理论研究.pdf

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基于半导体纳米结构的太赫兹波辐射与探测理论研究段素青北京应用物理与计算数学研究所摘要：这篇文章包括两个研究内容。在第一个内容中，我们通过计算量子环的光子参与的隧穿输运电流研究了实际GaAs量子环磁场调制的太赫兹吸收谱。研究发现，光子的吸收可以导致环隧穿电流的突然降低，并且表现为电流岁磁场变化谱线上高分变的dip。根据这一原理我们提出了磁场调制的THz探测方案。在另一部分内容中，我们发现，通过调节源量子点间的耦合参数，可使得耦合量子点产生的高次谐波由仅奇数次变为奇偶次同在。利用Floquet定理，我们揭示了多能级系统高次谐波辐射的规律。根据这一发现，我们提出，利用GHz波驱动不对称的耦合量子点结构产生奇偶次THz 谐波波的辐射，进而实现宽频THz源。