基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究.pdfVIP

第37卷第2期 压 电 与 声 光 Vo1．37NO．2 2015年O4月 PIEZOELECTRICS ACOUST0OPTICS Apr．2015 文章编号 ：1004—2474(2015)02—0327—03 基于 GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究 郭 鑫，唐晓莉，张怀武 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室 ，四川 成都 610054) 摘 要 ：随着微电子加工工艺技术 的发展 ，集成 电路对静 电越来越敏感 。设计合理有效的静 电放 电(ESD)保 护器件显得 日趋重要 。传统 的 “手动计算+流片验证”的设计方法费时耗力 。该文基于栅极接地 的NMOS(GGN— MOS)器件 ，以Sentaurus为仿真平 台，建立器件模型，根据 ESD防护能力的需求 ，计算 出GGNMOS的设计参数 ，设 计 出防护指标达到人体模型(HBM)4．5kV 的管子。结果表 明，该方法简单有效，能缩短设计周期，是防护器件设 计 的一种优秀方法 。 关键词 ：栅极接地 的NM0s(GGNM0s)；人体模型 (HBM)；静电放 电(ESD)；建模 ；仿真 中图分类号：TN406 文献标识码 ：A TheESD M odelingandSimulationTechnologyResearchBasedon GGNM OS GUo Xin，TANG Xiaoli，ZHANG Huaiwu (StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina， Chengdu610054，China) Abstract：Withthedevelopmentofmicroelectronicsprocessingtechnology，integratedcircuitsareincreasingly sensitivetostaticelectricity．A reasonableandeffectivedesignofESD protectiondevicesseemsincreasinglyimpor— tant．Itistime-consumingandlabor-intensiveforthetraditionaldesignmethodwhich is “manualcalculationandta— peoutverification”．BasedonGGNMOSdevices，Sentaurussimulationplatform isuesdtoestablishthedevicemodel inthispaper．ConsideredtheneedsofESD protectioncapability，wecalculatethedesignparametersofGGNMOS， design8tubewhichprotectcapacitycanreach4．5kV fortheHBM ．Theresultsshow thatthemethodissimpleand effective，cangreatlyshortenthedesigncycle，whichcanregardedasanexcellentmethodforprotectiondevice． Keywords：groundedgateNMOS(GGNMOS)；humanbodymodel(HBM )；electrostaticdischarge(ESD)；mod— eling；simulation 0 引言 难计算出器件 的性能参数 ，另一方面是大量的流片 测试与验证耗时