基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法.pdfVIP

a叶技2014年第27卷第12期 ElectronicSci．＆Tech．／Dec．15．2014 基于低频噪声的薄膜 电阻器可靠性表征方法 吴 勇 ，马中发 ，杜 磊 ，何 亮 (1．西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071；2．西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院，陕西 西安 710071) 摘 要 薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采 集卡构建的测试系统测量了一组 1．5kn镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声，结合显微分析发现 电迁移是薄膜电 阻可靠性退化的主导机制，电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分 析表明，低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度 ，可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。 关键词 镍铬薄膜电阻器；低频噪声；老化试验；电迁移；可靠性 中图分类号 TN451 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2014)12—100—06 Thin—film ResistorReliabilityCharacterizationBasedonLow FrequencyNoise WU Yong ，MA Zhongfa ，DU Lei，HE Liang (1．SchoolofMicroclectronics，XidianUniversity，Xi’an710071，China； 2．SchoolofAdvancedMaterialandNano—technology，XidianUniversity，Xi’an710071，China) Abstract Thelow—rfequencynoiseofthin—film resistorand itsinnerdefectsarecloselyrelated．Inthispaper， thelow—rfequencynoisesofabatchof1．5kQ NiCrthin·film resistorsbothbeforeandafterageingaremeasuredbya testingsetupcomprisedoftwo--stagelow-n·oiseamplifiersandahigh speedandhigh accuracyPCIdataacquisition card．Electro-migration insidethethin—film resistorisidentifiedtobethedominantdegradationmechanismbyacom— binationanalysisofbothlow—rfequencynoiseandmicroscopy．Theparametersoflow—rfequencynoisesuchasampli— tude，rfequencyindexandturningrfequencyexhibitunusualfluctuationsrightbeforetheoccurrenceofelectro—migra— tion．Itisconcludedthatthelow—rfequencynoiseofthin—film resistorcansensitivelymanifestthedamagesinsidethe component，andasaresult，low—rfequencynoisecanbeusedasanindicatorfornon—destructivescreening． Keywords NiCrthin-film resistor；lowrfequencynoise；ageingtest；electro-migration；eliability 电路系统正向高度集成化方 向发展 。在混合集成 针对薄膜 电阻的低频噪声进行了深入研究。由于 电路中，则经常使用尺寸较大的金属薄膜作为电阻 J。 薄膜电阻的低频噪声幅度相对较小，因此在测量时采 从微观角度来看，合金薄膜电阻中包含有大量的