四氟化碳等离子体处理对聚酰亚胺介电性能的影响.pdfVIP

第 35卷第 4期 化学工业与工程技术 Vol_35No．4 2014年 8月 JournalofChemicalIndustryEngineering Aug．，2014 四氟化碳等离子体处理对聚酰亚胺介电性能的影响 顾志超 ，谢洪德 ，徐 斌 ，陈兴旺 ，许月萍 ，徐 松 ，孙 占明 (1．苏州大学材料与化学化工学部，江苏苏州 215123；2．威怡化工 (苏州)有限公司，江苏苏州 215008) 摘要：采用等离子体活化的方法 ，使用四氟化碳 (CF)气体，对印刷线路板常用基材聚酰亚胺薄膜 进行了处理，将含氟基团引入到聚酰亚胺薄膜表面。通过测量材料表面的接触角、x射线光电子能谱分 析等，验证了通过等离子体处理 ，含氟基团成功引入了聚酰亚胺薄膜表面。通过改变等离子体处理的功 率及反应时间，研究了不同处理条件对聚酰亚胺薄膜介电常数和介电损耗的影响。结果显示 ：随着处理 功率和处理时间的增加，聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗在低频区域有显著的降低 (频率范围1～ t00Hz)。在最优条件下，聚酰亚胺薄膜的介电常数从平均 2．7降至平均 1．9(频率范围1—100Hz)，介 电损耗正切值从平均0．145降至平均0．06左右 (频率范围 1～100Hz)。 关键词 ：聚酰亚胺 四氟化碳 等离子体 介电常数 介电损耗 中图分类号：TB332 文献标识码 ：A 文章编号：1006-7906(2014)04—0067—07 InfluenceofCF4plasmatreatmentondielectricpropertiesofpolyimidefilm GU Zhichao ，XIE Hongde ，XUBin ，CHEN Xingwang ，XU Yueping ，XUSong ，SUN Zhanming (1．SchoolofMaterialandChemicalEngineering，SoochowUniversity，Suzhou215123，China； 2．WeiyiChemical(Suzhou)Co．，Ltd．，Suzhou215008，China) Abstract：Thepolyimidefilm usedinprintedsubstrateistreatedbyCF4plasmaactivation，andfluoricgroupisintroducedtothe SUl~faceofpolyimidefilm．TheresultsoftheexperimentareverifiedbymeasuringthecontactangleandX—rayphotoelectronspectrosco— PY．Theinfluenceofdifferentconditionsonthedielectricconstantanddielectriclossofpolyimidefilm isstudiedbychangingthepower andreactiontimeofplasmaactivation．Theresultsshowthatwithtreatmentpowerandtreatmenttimeup，thedielectricconstantanddi— electriclossobviouslydropsinlow~equencyarea(1—100Hz)．Attheoptimizedcondition，theaveragedielectricconstantchanges from2．7to1．9(1—100Hz)，andtheaveragedielectriclosschangesfrom0．145tO0．06(1～100Hz)． Keywords：polyimide；carbontetrafluoride；plasma；dielectricconstant；dielectricloss 近年来，集成电路呈高速发展态势，但随着 电 是一种广泛使用的材料 。普通聚酰亚胺 的介 电常 路集成度的不断提高，引起 了信号传送延迟