ITO与p型SiCGe的接触特性研究.pdfVIP

第十_-全一化t-阜，I，t敢-件和走电-件拳奉●讧 广I乏●20∞年11月 ITO与p型SiCGe的接触特性研究 陈春兰陈治明 西安理工大学电子工程系，西安710048 擅要本论文利用直流磁控溅射系统在P型SiCGe和载玻片衬底上沉积riO薄膜．研究不同工艺条件对rid薄膜方阻、透过率及 与p型SiCGe接触特性的影响．结果发现溅射功率为79．2W沉积的rio薄膜透过率最高，可达黯．15663％，方阻最低，为22．明蛔· 以溅射功率为79．2W的工艺条件在P型SiCGe上沉积fro薄膜，并研究其电压电流if-V)特性与退火温度的关系．结果表明，在 退火温度为400C的退火条件下获得欧姆特性，同时ITO薄膜的最高透过率高达89．58761％方阻为20．6,QJo． 关键词l SiCGe。欧姆接触。ITO，磁控溅射 1引言 SiC材料在高温、强辐射等恶劣条件下的应用有着Si材料无法比拟的优势，尤其在电力 电子技术领域有着诱人的应用前景。可是，SiC对大部分可见光和全部的红外光都不敏感，很 难在光电领域发挥其优势。而为了实现SiC器件的抗电磁干扰，有必要开发光控SiC器件。 件在可见光或近红外光领域的灵敏响应。 为了配合SiCGe／SiC光电二极管的开发，有必要制造透明导电电极。但是到目前为止，研 有一定的屏蔽作用。如果透明导电材料能够与SiCGe材料形成欧姆接触，那么光电二极管的 光电转换效率就会提高。但是直至今日，透明导电材料与SiCGe材料形成欧姆接触的实验还 未见报道。 ITO(铟锡氧化物)透明导电材料在蓝光区域具有低电阻率(10。4Q·cm)、高透过率(90％) 等特点【4】。因此，ITO广泛地应用于光电器件领域。本文主要研究在P型SiCGe材料上淀积ITO 薄膜并使之成为欧姆电极并具有高透过、低方阻的可能性。 2实验 片上沉积ITO薄膜之前，首先采用超高真空直流磁控溅射系统在载玻片上沉积ITO薄膜。利 用V-570型紫外同‘见／近红外分光光度仪和SDY--6型四探针测量ITO薄膜的透过率和方阻。 然后根据ITO薄膜的透过率和方阻的值以同样条件在P型SiCGe外延片上沉积ITO薄膜。最 后进行退火，退火温度分别为300℃，400℃。 3结果与分析 首先和用不同溅射功率在载玻片上沉积ITO薄膜。图1(a)显示了ITO薄膜的光透过率 与光波长的关系。图1(b)显示了不同溅射功率对ITO薄膜方阻的影响。 从图1(a)中可看出，ITO薄膜的透过率随着溅射功率的增加而增加，当溅射功率为79．2W 为85．83015％。图lfb)结果表明ITO薄膜的方块电阻随溅射功率的增加而降低。这是因为溅 射粒子沉积在基片上的能量随着溅射功率的增加而增加，从而导致沉积的薄膜与基片之间的附 着力以及膜层的致密性也都有所提高，因此薄膜的透过率升高了。而薄膜与基片之间附着力和 薄层致密性的提高导致晶界散射减少了，故功率增加薄膜的导电性得到改善。因此，在p型 573 第十口■全■化青■一‘●俸，t坟●件和光电■件攀术●饥 SiCGe外延片上溅射ITO薄膜时采用的溅射功率为79．2W为宜。 图2显示了ITO薄膜与P型SiCGe接触在经过不同退火条件下电压一电流特性曲线。结 果表明ITO薄膜与P型SiCGe之间的接触特性在退火400C后呈现欧姆接触特性。 根据以上接触特性的研究，为了配合光电二极管的研究，有必要研究ITO薄膜在退火400。C 后的透过率和方阻。图3是溅射功率为79．2W的ITO薄膜在退火前后的透过率图。由图中所 示，在退火400C后的最高透过率为89．58761％。但是退火400C前后的透过率变化不大。退 火后的ITO薄膜的方阻通过四探针测试得20．6Dim。 a 辞 ＼ 褥 翅 蝌 图l不同溅射功率的rID薄膜的性能(a)透过率图@方阻图 +退火400℃ 十退火300℃ +退：_l(前 X 葺 ＼ ＼ ∥ 槲 斌