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低损耗NiCuZn铁氧体 邵峰朱孝平袁兴华胡佳萍 (天通控股股份有限公司研发中心，浙江盐官314412) 摘 要：最近，高性能NiCuZn铁氧体被研究应用于小型化的变压器和电感。在研究 过程中，NiCuZn铁氧体的损耗受到重点关注。研究确认，通过加入M003可降低损耗。 这得益于微观结构优化后带来的磁滞顿耗的降低。 关键词；NiCuZn铁氧体；功率损耗；微观结构 1 引言 近年来兴起的各种移动通信设备如笔记本电脑以及液晶显示器要求实现转 换器和逆变器等元器件的小型化。当前，NiZn铁氧体由于电阻率高，制成变压 器和电感时可少用或不用线圈，正成为元器件厂的新宠。然而，传统的NiCuZn 铁氧体低频损耗较大，无法应用到传统DC／DC转换器和DC／AC逆变器中。为 此，天通公司开发了低损耗功率NiCuZn铁氧体。 众所周知，对于MnZn铁氧体，在较低的频率下(≤50kHz)，传输功率主 要受磁芯的饱和磁感应强度限制，而在更高的频率下，损耗的增加导致磁芯过 热，从而限制了传输功率。而NiCuZn铁氧体由于磁各向异性常数K-较大，在 低频时损耗比MnZn铁氧体高数倍，因而，我们利用损耗分离理论【I】，借助 相当的情况下，NiCuZn铁氧体的损耗比MnZn铁氧体高约7倍，其中，磁滞 损耗高约8倍。因此，我们的首要任务是降低磁滞损耗。降低强场下的磁滞损 耗，要求材料的磁滞回线窄，其配方原则是使K1，九。趋向于零，微观结构上要 求晶粒大且均匀，气孔少i1】。为此，我们希望通过掺杂实验，减少磁滞损耗。 表1不同材质损耗分离(50kHz，150mT，100℃) P“ PIIv Pev 材质 磁导率 (roW／era5) (mW／cm5)(mW／cm3) MnZnTP51400±25％ 90 68．9 20．3 NiCuZnTNf00B1000±25％ 728．1 612．6 114．5 90 2实验过程 根据经验，我们选择M003作掺杂元素实验。粉料是使用传统的氧化物方法 制备的，制备过程见图1。样品成分见表2。使用SY8232BH测试仪分析损耗 和饱和磁感应强度，HP4284ALCR测试仪测试电感，扫描电镜分析微观结构。 图1实验样品制备流程 表2样品的化学成分 编号 Fe203(m01％)NiO(m01％)ZnO(rn01％)CuO(m01％)M003(ppm) 1 48 16 30 6 0 2 48 1 6 30 6 100 3 48 16 30 6 2 300 4 48 l 6 30 6 。 ，、。：i．500 5 48 1 6 30 6 ，700 、。 6 48 16 30 6 900 3实验结果与分析 量的增加￡。擐耗开始不变，随后，磁滞损耗降低，涡流擐耗纂本像持不变。到 F昝 一定量以后，损耗再次升高；同时，磁导率则随M003含量增加商上升。图3 图2 M003含量与损耗的关系