SiO2%3aTb3%2b发光薄膜的制备及其特性研究.pdfVIP

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FPDConference PDP及其它 2008China SiOt:Tb3+发光薄膜的制备及其特性研究 苗仲海’胡晓云”江东’王永强’2张德恺 1西北^学物Ⅱ学系,陕西西安.710069 2河南ⅡT太学Ⅸ化粟.河南焦怍.454000 摘要 02 W月镕K—m**(xol—geI)Ⅻ§T十1日镕Ⅲsi *‰%&~293685nⅢ.十目m#Ⅲ~13 十*m#*.№自mⅢ№&§&#№* N^*fPLE).目R7Tb抖∞№☆nm№i#№m§.&《Ⅻ*∞m*十Tb”H3la舢n自 &543nm*自一目“B.目fTb3+日可5m7r《ttRr 5% d R·I8x8tl on)H dq自∞. 关键词 镕∞一《K&;#m*Ⅸ:#±镕m-&m## 1引言 ≈∞$≈日nMm№tⅡlf m&#O 自}}Ri&$∞&&.}*&i“其§t#.目&*.# 女f女.《t白寸*&№日酿%☆&#05h,≈d*《B《着* 目十,自#*z##,}目*、i目*^、$r$m±《eR 镕《^目B%e&#L i*n^#※m女Ⅻ制☆商#诮##白勺*№m“月目日“自“ 4- 3-0 nm目*±∞Ri≈《《自目*、超^、3Dni自&&.4女m 05.06 O7+08.09)&#4hHh.#目%“48h.Mm≈■ 《e《i^m《*≈日m自*‰&№*∞目R#目*m*m∞Ⅲ R,日*目#‰∞&m#目№一女№*Ⅸ^EⅢ,H*$、*# 50℃*^月日目§Ⅻ#I‰. 口Ⅱ∞*Ⅸ.§7 ;,自日t 々g《∞Ⅲ≈&#‘t镕$*#Ⅲ#ZH,Hi#Ⅸ∞m 4 ∞m∞女Ⅲm女mⅢfmBm‰(AFX—P7)m“&《Ⅲ 《&.&d*&**H∞A#H¨十.#±i$u#H特∞m,镕 gFl000№Ⅲ*《&Mt #…自7^*#科#g∞$m.m**&~#一代Ri8*《M∞ *≮#¨[1—6】. m. £女4Ⅸ∞《*自H}^《,#十镕&一*&**n**Ⅻ§ §##Ⅸ*§**§*.*自∞4∞*^%.∞镕^¨W镕《 3实验结果与分析 E&n4、*&目自自m#目&&自#日#Ⅸ日镕#女ⅡR# 3 1薄膜表面的AFM表征 %mⅢRIn日勺f**^.镕&#nIZ&自*#¨自g件Enm

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