碳纳米管阵列可控终止生长和其对基底结合力的影响.pdfVIP

全阉博士生学术论坛(物理学)中国科学院蚕羿究生院北京 2@@6 DoctoralForumofChinainPhysics，GUCAS，Beijing 碳纳米管阵列可控终止生长及其对基底结合力的影响M 刘锴1，姜开利1，范守善1 I．清华大学物理系，清华一富士康纳米科技研究中心，北京(100084) 一引言 碳纳米管因其优异的力学、电学、热学以及化学性能和潜在的应用前景而成为纳米 科技研究的热点。在碳纳米管的诸多形态中，碳纳米管阵列作为一种有统一取向的自组 织结构，被广泛关注并作为场发射体应用在平板显示和真空电子器件等许多领域。由于 具有相对较高的功函数【11，碳纳米管在场发射过程中通常承受较大的电场拉力【21，并容 易从基底上被拉出引起短路、放电或接触不良等问题而导致发射失败。因此，如何增强 碳纳米管与基底之间的结合力使之能承载更大的电场，成为一个亟需解决的问题。目前， 已有一些工作来增强这一。结合力，包括使用粘性胶【3】或者退火【4】等方式。但是这些方式 不可避免地对碳纳米管形态产生影响。考虑到碳管的底端生长模式，能否通过控制生长 终结的方法来增强结合力，是我们试图尝试的方向。 二实验部分 我们采用常压CVD分解C2H2的方法制备多壁碳纳米管阵列，催化剂采用磁控溅射或 电子束蒸镀5-Snm Fe薄膜。制备装置如图1所示，这一装置的特点在于使用了一个特别 设计的石英舟【5】。石英舟一端开口，另一端与一个单独的吹气口相连。在制备碳纳米管 的过程中，常用的终结生长的方式是在生长了预定时间之后，直接断掉碳源气。这种终 结方式我们称之为“自然死亡”。采用自然死亡方式，由于腔体内碳源气的扩散作用， 残余碳源气浓度是逐渐降低的。如果在断掉碳源气的过程中，再从石英舟的吹气口引入 大流量的不活泼气体(缸He等)，则会导致石英舟中残余碳源气浓度迅速减少至0，这 种终结方式我们称之为“突然死产”。 鼷垂阀 露黧爱囤 图1生长装置图 在制备得到两种终结方式的碳纳米管阵列之后，我们还对其进行了直接的结合力测 投稿I=1期：2006．06．30 作者简介：刘锴(1981．)，男，汉，IlI东淄博 联系方式：010kg曲嫂≥@堑西l§：纽旦吐丝：鲴虫鲤 Materials 【‘’】文章相关内容已投向Advanced ．．74．． 2er@6 量。测量装置如图2所示。在j维操作台的两个悬壁上分别放置制备得到的多壁碱纳米 管阵列和一个两维倾斜一维旋转台。测力计置于倾斜旋转台上。多壁碳纳米管阵列是用 紫外光刻的方法做成的图样催化剂膜生长而成。其图样是50pmx50pm的方形催化剂小 的碳纳皋管束，但是力太小很难保证信噪比。因此，我们实际采用的是拨多簇取平均值 的办法来得到每簇碳纳米管阵列与基底的结合力。 圈2耐力装置。1．待测样品；2．测力计探针；3．测力计；忙维操作台悬臂；5．二维倾斜一维旋转台 三实验结果 卿嗍 鎏《耀羁搿零謦 D山 ’滋 圈3自然死亡与突然死亡方式对比。A，c，E．自然死亡；B弦突然死亡 75． 2@@6篇篇熹裂黼蠕警黧麓蔫 图3显示了自然死亡和突然死亡两种死亡方式的电镜图片。可以看到，自然死亡方 式结束的碳纳米管阵列根部弯曲缠绕(图3A)。从基底上拔出后．弯曲缠绕的部分仍然 保持，其高度大概在1岬左右，在其r部碳纳米管阵列正常有序的排列(图3C)。从 TEM图片可以看出，其根部有竹节形、细长形、收缩形等多种形状(图3E)。绝大多数 碳纳米管的根部都包裹着催化剂。由于在生长结束阶段炉温并没有变化，固此这些弯曲 缠绕的根部是南于碳源气浓度递减造成的。相反地．突然死亡方式结束的碳纳米管阵列 根部规整地直立在基底上(图3B)。TEM图片显示，从基底上拔出后的碳纳米管阵列多 为开口。且不包覆任何催化剂(图3F)。这种规整的根