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郊七石全.虑路,大全论克住 釜州 2002 年a月
一邀谙叔告
计算机硬盘的发展趋势及磁头/磁盘表面的加工和改性研究进展
雄建斌 杨明楚 王亮亮
(清华大学摩擦学国家重点实脸,北京100084)
摘要:硬盘以其种种优势在科学领域和生活上越来越得到广泛地应用,同时也不断地促进了与其相关领域的科学技
术的迅速发展.本文从摩擦学的角度讨论了与硬盘系统相关的基于磁头/盘表面与界面的微/纳米设计、加工和改性
技术与理论等领域的理论研究进展,并分讨论了飞行特性与表面形状设计的研究、非均质多组元表面纳米级抛光技
术、表面化学一机械抛光技术等的研究发展状况和目前仍然存在的问题。
1.硬盘系统的发展状况
硬盘(HDD)信息的读写由磁头和磁盘之间的高速旋转运动实现.磁头和磁盘构成一对运动副,
涉及高精度、高速度运动控制和定位、微摩擦与磨损、表面加工与改性等问题.硬盘的关键部分是
头/A组件(head/diskassembly,HDA),它由盘片组和头堆((headstackassembly,HSA)构成。HSA由若
干组的磁头折片组合(headgimbalassembly,HGA)组成,HGA则由一定特性的悬臂(suspension)和磁头
(slider)组装而成。每一种磁头特定对应于某种几何尺寸和动力学特性的悬臂.通过悬臂在磁头/磁盘
之间施加一定的荷重力,该力的大小直接影响磁头/磁盘之间摩擦力的大小。
组成盘片的多层膜组成从内到外为:盘基、底层、衬层、磁层、保护层和润滑层。传统接触起
停式硬盘将盘片内环表面处理成一定网纹结构的起停区.
计算机硬盘在尺寸和存储量上发展很迅速.如示,尺寸由80年代的14时到现在的1时,单片
存储量由1.89GB到了75GB,并逐步向1000GB发展。显示自1991年开始,硬盘磁存储密度的复
合增长率以每年60%的速度上升,在近三年里甚至达到100%。飞行高度随磁存储密度的升高而迅速
下降,而磁头的飞行控制精度却不断提高,2002年飞行高度已降到了12run,飞行控制精度控制在
3run左右。可见,改进磁存储方式和降低磁头磁盘间隙是磁存储密度迅速提高的主要因素。
减小磁间隙的途径有两个:一是减小保护膜和润滑膜的厚度:二是降低磁头磁盘间的飞行高度。
前者促进了基于研究磁介质保护膜的制备技术和材料学研究:后者使磁头/磁盘从近接触读写
recording)乃至直接接触读写(contactrecording)方向
(proximiytrecording)向准接触读写(pseudo-contact
发展131,也使得以基于头谧的表面与界面加工技术、改性技术、控制技术和纳米摩擦学的研究变得
异常活跃。
磁头/磁盘技术的发展要求磁头和磁盘的磨损在 “原子尺度”。为达到此目的,传统的磁头/磁盘
接触起停(contactstart/stop,CSS)方式近年来己经向载入截出(load/unload)方式的发展。该项技术使
磁头不再通过与磁盘接触而在磁盘上方直接起飞,从而避免了磁头履盘之间起停时的摩擦和磨损。
但是,它同时却增大了磁头载入时与磁盘撞击的几率.压电陶瓷微驱动器(PZTmicro-acuator)对磁头
的寻道精度和道密度的提高起到了很大的作用,但前置信号芯片位于磁头支律份,改变了其的动态
特性,从而对磁头的飞行特性和寻道稳定性产生了影响.而飞行姿态的不稳定同样将引起磁头磁盘
界面的摩擦和碰撞。
2.表面亚纳米级加工
2.1飞行特性与表面形状设计
磁头飞行特性以及其赖以飞行的气垫面形状的研究是一个重要领域.磁头在磁盘上飞行类似一
个空气轴承.随着飞行高度的降低,使得润滑气体的稀薄效应越来越受到显著影响,并在研究磁头
浮动特性时不得不考虑气体分子平均自由程(MolecularMeanFreePath,MMFP)的影响用努森数Kn
大致将气体润滑分为几个区域,当。.O1Kn0.1时,为滑流领域:当0.1Kn10时,为过渡领域;
当Kn10时,为分子自由流。由于早期的气膜较厚,努森数较小,故可将气流视为在滑流领域的连
加 I
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