金纳米颗粒直接修饰ITO电极的生长机理的研究.pdfVIP

V01．30 第30卷专辑 南昌大学学报(理科版) Suppl of 2006年9月 JournalNanchang Unive礴ity(NaturalScience) Sept．2006 文章编号：1006—0464(2006)专辑一1197—02 金纳米颗粒直接修饰ITO电极的生长机理研究 林志杰8，陶 颖3，陈晓梅8，陈 曦8^ (厦门大学a．化学49．r-学院化学系现代分析科学教育部重点实验室； b．厦门大学近海海洋环境科学国家重点实验室，福建厦门 361005) 中围分类号：0657 文献标识码：A 研究利用UV—Vis，SEM，电化学循环伏安法研 究金纳米直接修饰ITO电极的生长机理。金纳米颗 道能量随溶剂极性的增强逐渐降低，而仃轨道能量 粒直接修饰ITO电极通过金种中介法制备，分接种 基本不受影响，从而造成能级差随着溶剂极性增强 和生长两步，先在11O电极上接金种，然后在金种催 而增大，AuBff的吸收峰逐渐蓝移。所以极有可能 化下在生长溶液中生长¨J。 研究进行了UV—Vis光谱与ITO修饰电极上 AuBff的微环境发生变化，减少了AuBrf与水的作 的金纳米颗粒之间的关系以及生长溶液中的中间产 用，造成该溶液的uV—Via吸收峰红移。在CTAB、 物。实验结果表明，UV—Vis吸收随着金纳米颗粒 的增多以及增大而增强。在生长溶液中，当CTAB血酸后，溶液变为无色，再加入适量NaOH后，前者 与Au“的浓度比低于40：l时，溶液中会产生深黄没有变化，而后者产生灰色沉淀。进一步证明 色的C16TA+(AuBr．)一沉淀。当CTAB与Au¨的 AuBrf被CTAB胶团包覆。 浓度比高于40：1时，沉淀溶解完全，并且该溶液的 UV—Vis吸收峰位置(396nm，AuB‘的LMCT吸收 峰瞄。，图1)不随CTAB浓度的增大而变化。实验表 明随着溶剂极性增强，AuBr／的吸收峰逐渐蓝移，可 蛆 ¨ 图2可能的CTAB胶团包覆结构 ¨ 由于CTAB是影响生成金纳米颗粒形状的主要 -o茸tq暑∞五《 因素，通过改变CTAB在生长溶液中的浓度，发现随 帕 着CTAB浓度的增大，uV—Vis吸收强度先增大后 减小；ITO表面生长的金纳米棒数量逐渐增多，但是 ¨ 主要的形状还是圆形。uV—Via先增大应该是由于 柚O●50 Wavelength(nm 利于富集抗坏血酸，从而使反应加快。减小应该是 圉1 不同HAuC!。溶液的UV—Vis图 由于空胶团的增多，导致与金种的有效碰撞降低，造 mL0．1 mL0．1mol／LCTAB+1． Sl，2 moVLKBr；S2。，0．15 成在相同时问内，生长速度的减缓。金纳米颗粒的 85mL0．1mol／L mL0．1mol／LCTAB+1．70 KBr；S2d，0．30 mL0．1mol／L