氧化对Ni%2fn-AlGaN透明电极肖特基接触的影响.pdfVIP

蕈十■■●■’}●丰■噍．—：囊I■巾．生’灌件4津●哏 然后在850℃氮气氛下退火60s，I—V曲线表明可以形成良好的欧姆接触．透明的肖特基接触是 用磁控溅射法沉积10mNi形成．为了保证作为探测器应用的电极有良好的受光面积。用以形 成肖特基接触的金属圆环的直径为Imm．样品分别在氧气下300℃退火 lent 20s，30s，40s，60s，90s，150s，200s，300s，然后镀Au加厚电极测量．角Agi4155C半导体参 数分析仪测量样品的I_v特性．测量肖特基接触电极的透射率使用WGs一9型色度试验系统． 3结果与分析 图l是样品的正向I-V曲线，由图中可以看出，样品具有明显的整流特性． 为了对退火前后的肖特基接触的特性进行比较，我们对以上得到的I—V曲线进行了拟台．在 正向偏置下，当y3kT／q时，根据热电子发射模型…，肖特基势垒的电流电压关系可以用下 式描述： k埘唧(黪-1】 (1) 其中L=AA。r’exp(一粤)，为饱和电流．A为肖特基接触圆的面积，由^为势垒高度，n h’ AIN的有效质量线性差值外推得到．记入串连电阻的影响，(1)式变为 ，：‘[唧(氅墨一l】 (z)． 对曲线进行拟合，可以得到理想因子n，肖特基势垒高度巾。和串连电阻R．结果如表1所 示． 图2是样品的理想因子和势垒高度的比较．可以看出，未氧化的样品的理想因子为 2．03．300℃氧化时，随氧化时间增加，理想因子明显减小．势垒高度也随之提高．氧化时间为 90s时，理想因子最小。可达L3，此时的势垒赢度为0。954eV．当氧化时间大于90s对，进一步的 氧化使得理想因子变大，势垒变低．氧化时间为200s时，样品的整流特性开始破坏，当氧化时 间足够长，为300s时，理想因子为2．17，样品已经逐渐失去了整流特性． 当氧化时间为20s时，在显微镜下观察。肖特基接触电极的颜色就已经由砒舶灰色变成 了NiO的浅绿色，而且。透明度也明显增加。图3是样品的串连电阻和电极的透射率殖氧化时问 的变化曲线。从图中可以看出，串连电阻和透射率随氧化时间的增加雨增加，在30s到90s 之间达到饱和．表明NiO在Ni的表面已经逐渐饱和，阻挡了Ni的进一步氧化…．其中，当氧化 时间为90s时，测量得到电极在光波长为314nm时的透明度为78．2％．比单纯的10hm金属Ni 的透明度(57．7％)提高了35．5％．而且，实验表明，90s时样品的整流特性最好．随着氧化时间 继续增加，电极的透明度和串连电阻明显增大．串连电阻从205Q迅速增加到6490，透明度从 78．2％增加到86．8％．表明Ni进一步被氧化，这是因为Ni和0的亲和力比较强，当氧化时间足 够长时，Ni可以通过缺陷或孔洞位置扩散到表面和0反应．形成NiO，使透明度提高，串连电阻 增大…．但是此时样品的整流特性开始遭到破坏，理想因子增大到2．17，势垒高度减小到 0．74eV．这是由于此时Ni大部分已经氧化，部分0可能已经扩散到了AIGaN的表面，形成了Oa-O 键，破坏了Ni／n-AIGaN的肖特基接触，使得理想因子变差，势垒变低． 4结语 本文研究了低温氧化对Ni(10nm)／n—AIGaN肖特基接触的影响．结果表明，低温氧化可以 ，F十■l●-t●*十●t．★t■_-^tl_●4●《 广膏采l2006辛1lJ 在金属表面形成一层薄的NiO，在光波长为314rm左右电极的透明度由57．5％提高到78．2％．而 且低温退火使得金属电极和半导体之问的接触更为紧密，减小了理想因子，提高了肖特基势垒 高度．实验条件为300C，90s时，理想因子最小可达l。3，肖特基势垒高度可以达到0．954eV．这 对于制作高透明度的肖特基型紫外探测器来说是很好的选择． 4致谢 本实验受到国家自然科学基金(N0项目资助． 参考文献： devices，J．Appl．Phys，1999，86：1 andTi barriers012rr-AIGsNon [2]L．S．Yu，D．J．Qiao，Q．J．Xing，et，a1．NiSchottky