退火处理对脉冲激光沉积制备ZnS薄膜的影响.pdfVIP

第27卷第4期 武 汉 工 业 学 院 报 VoL27No．4 2008年 12月 Journal of Wuhan Polytechnic University Dec．20o8 文章编号：1009-4881(2008)04~113-04 退火处理对脉冲激光沉积制备 ZnS薄膜的影响 纠智先 ，李 强 ，孙金战 (1．武汉-V业学院数理科学系，湖北 武汉 430023； 2．河南省上蔡县第一高级中学，河南 驻马店463800) 摘 要：利用射频辅助脉冲激光沉积技术，研究了退火处理对制备ZnS薄膜的影响。利用x 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行 了表征。结果表 明：退火处理更有利于ZnS薄膜的发光。 关键词：脉冲激光沉积；ZnS薄膜；退火 中图分类号：O528．42 文献标识码 ：A 在一定气氛下使薄膜恒温保持一定时间后，可以消 0 引言 除一些缺陷，使得原来在沉积过程中形成的稳定缺 脉冲激光沉积 (pulsedlaserdeposition，PLD)制 陷分解成点缺陷和结构简单的缺陷。这些点缺陷和 备薄膜是20世纪80年代末迅速发展起来的一项全 结构简单的缺陷在退火温度经一定时间后在晶体中 新制膜技术，可用于制备纳米材料和半导体量子点 移动，并逐渐湮灭或被原来晶体中的杂质或表面所 等新型微结构材料 ¨ 。其突出的优点在于PLD产 吸收。同时薄膜中的晶相会从非晶态向多晶乃至单 生的等离子体输送的机制决定了这种技术制取的膜 晶态过渡 。 具有和靶材相近的化学成分。 为提高发光量子效率 ，对样品进行了退火处理。 ZnS是迄今为止粉末 电致发光的最佳基质，应 这是因为ZnS基质的发光是杂质能级中心发光，而 用于许多领域。ZnS荧光薄膜在高亮度、高分辨率 退火对杂质能级的形成有促进作用。 的显示器如场发射以及平板显示中具有潜在的应用 2 退火处理对制备 Zlls薄膜影响的 前景而受到人们的重视。更需值得提出的是，由于 量子尺寸的纳米颗粒及其掺杂具有独特的光 电特 分析 性，因此PLD制备纳米ZnS薄膜有可能提高其发光 本实验将沉积的样品进行退火处理，在较高真 效率，改进其发光性能，并实现ZnS基纳米发光材料 空下550℃退火 1小时。图1、图2、图3和图4分别 的全色化，这有可能成为今后 ZnS发光材料的一个 为Ar气氛下和Ar气等离子体羽辉射频辅助沉积的 重要研究方向。 薄膜样品退火前后的SEM照片和XRD谱图，从中 可以观察到，经过退火处理后，薄膜表面形貌发生显 1 退火处理对制备Zlls薄膜的影响 著变化。退火前薄膜表面晶粒的结合较为疏松，且 由于PLD是一种非平衡的薄膜生长过程，沉积 表面呈现粗糙状；退火后，ZnS薄膜在ZB(111)面上 态的薄膜内部存在成分的起伏，以及位错、断键等缺 更加择优取向，C轴取向更为一致，因此，薄膜的均 陷，而位错、断键等缺陷可以引起陷阱能级，充当非 匀性和结晶状态在退火后得到改善，薄膜结合更为 辐射复合中心，进而影响薄膜的发光。因此，采用退 致密和平整。从而说明退火处理的过程