MgB2的电子-声子相互作用常数和超导转变温度的计算.pdfVIP

第31卷／第4期／ 河北师范大学学报／自然科学版／ VOI．31№．4 2007年7月 J。uRNALOFHEB日NORMALUNIVERSITY巾妇tu阳IScien∞EditIon／ Ju}．2007 MgB2的电子一声子相互作用常数 与超导转变温度的计算 金东泽1，郭振平2 (1．延边大学师范分院，吉林延吉133000；2．延边大学理学院物理系．吉林延吉133002) 摘要：计入短波声子的倒逆过程和电子的屏蔽效应，推导出电子一声子相互作用常数N(0)y的表达式，并利 137．3 用有关的实验数据计算出N(O)y=O．309。D幽ye温度为798．45K，纵向Debye温度8DL为1K。以eDL取代 B(筠T。公式中的9D，求得T。=38．8K，该值与实验结果符合得很好．研究表明，对MgB2的超导有贡献的主要是 纵向声子． 关键词：Mg逸；纵向Debye温度；超导转变温度；电子一声子相互作用常数；屏蔽效应；倒逆过程 中圈分类号；O513 文献标识码：A 文章编号：1000．5854(2007)04．0469．03 质又与传统的BCS理论有所差别．因此，从理论上和实验上进一步探索MgB2的超导机理是十分必要的． 在BCS超导理论中，计算材料的超导转变温度通常采用公式【10，11] T。=0．850Dexp{一1／N(0)V}， (1) 数的计算问题，是检验BCS理论适用性的关键所在． 本文中，笔者依据电子一声子相互作用常数的定义，考虑长波声子和短波声子的作用，计人电子的屏蔽效 1 电子一声子相互作用常数Ⅳ(O)y的理论推导 电子一声子相互作用常数定义为【10] N(o)V=N(o)2(亢∞。)一1M：(Q))一产， (2) 为电子问相互作用矩；(…表示在Femi面上取平均值． 考虑屏蔽效应，电子一离子屏蔽库仑势采用ThomaS-Fermi表示 V(Q)=一4霄ze?[Q2+是：”(Q／2点F)]一1． (3) 相应地，坂(Q)可表示为 M口(Q)=一i√(2M“)-1壳NQ、，(Q)， (4) 其中N是离子数密度，M是离子质量， 础，=号+害-nI警1． 牧稿日期：2006一12—12 基金项目：国家自然科学基金 作者筒介：金东泽(1965一)，男，朝鲜族，吉林龙井人，尉教授，硕士，主要从事固体物理研究． 通讯作者：郭振平(1959一)，男，教授，硕士生导师，主要从事固体物理研究．E_m8il：gzpUwl@ybu．edu．c“ 万方数据 · · 470 626=是；／2五F，这里n。2方2／优e2表示Bohr原子半径． 不难证明N(0)焉2乏去2 一般情况下，z=Q／2忌F1，可取近似M(z)=1一等，代入(3)可得 V(Q)=一4T【ze2(2志F)一2(口2／62)[z2+口2]一1， (5) 其中 口2=62／(1—62／3)． Z7nVF 电子动能之比，v可表示为 V=譬m)2／3(孛筹矗)． (6) Q 其中叫。的取值范围可分为2段：1)在长波长正常过程中，Q=口且II口D；2)在短波