AlGaInP发光二极管薄膜芯片.pdfVIP

AlGaInP发光二极管薄膜芯片 蔡文必1,2 蔡伟智1吴超瑜2刘如玲2邱姝颖2 1.三安光电股份有限公司，厦门361009 2.天津三安光电有限公司，天津300384 摘要：本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状。 通过采用多项先进工艺和质量控制技术，产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。 其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术，实现 了良好的大电流特性和电流扩展性能，亮度指标大幅提升，红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd，Au-To 封装后器件光通量可达3.5lm。针对RS-LED芯片生产工艺的特点，本文探讨了产业化生产的关键工序、生 产过程质量控制点以及质量控制关键参数等，提出了切实有效的生产过程质量控制方法，并付诸实践。 关键词：薄膜发光二极管;面反射衬底；全方位反射镜；金属键合 AlGaInPThin-FilmChipofLightEmittingDiode Abstract:ThearticlepresentstheindustrializationstatusofAlGaInPLightEmittingDiode(AlGaInP-LED) Thin-FilmReflectsubstrate(RS)seriesofchipproductsinSananOptoelectronicsCo.Byadoptingmany advancedtechnologiesandqualitycontroltechniques,theepitaxialslicesandchipsofRS-LEDproducedby industrializationhavegoodperformanceandreliability.TheRS-LEDchipshavethehigh-currentandcurrent spreadingcharacteristicsbyusingkeyprocessingtechnologiesincludingOmnidirectionalreflector(ODR), substratetransfer,metallicbondingandsurfaceroughness,andleadtoalargeriseinbrightness.Thehighest luminanceoftheredRS-LEDchipscanreach550mcd,andrelevantluminousfluxcanbe3.5lmaftercapsulation. Basedonthecharacteristicsofproductiontechnique,thearticlehasanalyzedthekeyprocess,thequalitycontrol pointandkeyparameterinindustrializationprocess,proposedtheeffectiveproducedprocessqualitycontrol methodandputitintopractice. Keywords:thin-filmlightemittingdiode;reflectsubstrate;omnidirectionalreflector;metallicbonding 但DBR lV¨~、， r1 ● 充爿 过电极鹰 字 -ILtH巴啦墨川 芯片的手 {． ● 采月 f F#E拙 吐 [3]GB2689． [4]IESLM- 作者简介：