CdCl2+源退火对Cd1-xZnxTe+薄膜光学性质影响.pdfVIP

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2017-08-07 发布于安徽
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CdCl2+源退火对Cd1-xZnxTe+薄膜光学性质影响.pdf

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第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（CIGS、CdTe 和其它化合物薄膜太阳电池） CdCl 源退火对源退火对 Cd Zn Te 薄膜光学性质的影响薄膜光学性质的影响 2 源退火对源退火对 1-x x 薄膜光学性质的影响薄膜光学性质的影响江洪超，江洪超，金硕金硕，，武莉莉武莉莉，，张静全张静全，，李卫李卫，，黎兵黎兵，，曾广根曾广根，，王文武王文武，，冯良冯良江洪超江洪超，，金硕金硕，，武莉莉武莉莉，，张静全张静全，，李卫李卫，，黎兵黎兵，，曾广根曾广根，，王文武王文武，，冯良冯良桓桓桓桓（四川大学材料科学与工程学院，四川成都 610064）摘要：摘要：由于具有禁带宽度连续可调的性质，Cd Zn Te 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的摘要摘要：： 1-x x 理想材料。CdCl2 源退火处理是 CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节，本文采用真空蒸发的方法制备了 Cd Zn Te 薄膜，用 CdCl 源进行退火处理，探究 CdCl 源退火对其光学性质的影响。 1-x x 2 2 对样品进行了 XRD 和紫外-可见光透过谱等测试和分析，发现 CdCl 源退火对 Cd Zn Te 薄膜的组 2 1-x x 份影响较大，且会降低其透过率，改变其光学禁带宽度。关键词：关键词：CdCl 源；Cd Zn Te 薄膜；退火；光学性质关键词关键词：： 2 1-x x Influence of annealing with CdCl source on the optical property of 2 Cd Zn Te thin films 1-x x Jiang Hongchao, Jin Shuo, Wu Lili ，，Zhang Jingquan, Li Wei, Li Bing, ，， Zeng Guanggen, Wang Wenwu, Feng Lianghuan (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064 ，Sichuan) Abstract: Cd Zn Te thin films would be the ideal top cells material of the tandem cells because their 1-x x band gap can be continuously varied by changing the composition. To research the influence of annealing with CdCl source on the optical prop