皮秒级光电导体探测器.pdfVIP

2结构形式与工艺 光电导体探测器由管壳、管芯与基体三部分组成，根据不同作用和需要可以做成三种结构 形式． “腔体结构 b．_叉指形结构． c．阵列式结构 根据选用衬底材料(包括Si、Si一蓝宝石、G|A3或L一)可用不同的结构形式．目前研制的 产品主要为腔体结构形式(见圈1)，用半绝缘的GaAs，cr晶体块制成． 将晶锭根据需要的尺寸切铡成立方体(～Ⅲ一)，并经过研、瘩、弛一腐蚀一蒸发一退火，然 后粘在陶瓷片上。并与徽带线连接(500)后。封装在壳体内i按到L12-50KFD的输入、输出电 缆头后，进行初测，最后进行中子辐照、总测． 3主要技术指标 光电导体探测器主要技术指标t 灵敏体积ll～20mm。 偏压12000V 暗电流t5pA 线性电流：lOA 7灵敏度l10．’～lo_‘C／Gy 响应时间；250p5(觅图2) 7l“示渡嚣舅量 僵压150dv 激光脉冲嚣竟‘om 一 垦_ 圈1腔体蛄杓墨光导探舅嚣 蟹2 G-^I。Q探一暑输出t冲镀形 4结束语 由于皮秒级光电导体探测器的响应时间快，线性范田宽、结构紧凑、体积小等特点，在核探 测、加速器物理、激光棱爆模拟等高新技术领域获得了广泛的应用．并发挥了重要作用．今后， 120 随着皮秒级核辐射技术的发展，超高速光电导体探测器还将进一步改进和提高． Level PhotoelevtricalConductorDetector ps Chi hReIlhe Yapi“g (IAECAEP．P．O．B0x (IEECAEPP．O．Box 919‘1003·Mi丑“”“g·621900) 919—518-Mianyang，62190。) Ahstr_ct pskvel c∞d啪tordctector i3 photoeI砌cal i3^3up盯higklpeeddetector．which p山脚血ion ∞n血iVeto 0f h壮be亡nwcu 7-rap，X-Tay8，n∞廿呻砌clIaa增edP枷d∞刚h砧re印锄d Kgh印eed．It on 0f thefie】d applied optic·毫ktr帆¨d删d叫r-di-d帆．11l近p叩盯in乜叫u。∞hi胡yi协pdndple．st川ture． t亡clmk proce鞴．k。y p4ramct凹anda珥岫d曲． xey wor出ls㈣湖珥蒯Hlocod∞tr；鲥condu黜detecoor (上接第112页．cc毗jllued h蜘p群112) The Combination and ofTwoDevices 0p血num Aplication NamedBHl216 Low M∞surement a，p