金催化多孔结构黑硅太阳电池及研究制备.pdfVIP

第12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文 金催化多孔结构黑硅太阳电池的研究制备 1,2 1* 1 1,2 1,2 1,2 1,2 3 3 汤叶华 ,周春兰 ,王文静 ，周肃 ,赵彦 ,陈静伟 ,闫保军 ,费建明 ,曹洪彬 1：中国科学院电工研究所，中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京 100190 2 ：中国科学院研究生院 3 ：江苏欧贝黎新能源科技股份有限公司 摘要：多孔结构黑硅表面具有很低的反射率，本文采用金催化湿法化学腐蚀方法制备低表面反射率的多 孔黑硅表面结构。本文研究了不同腐蚀时间、不同掺杂程度多孔黑硅太阳电池的输出参数变化及性能变化。 同时对多孔黑硅太阳电池目前所存在的问题进行了探讨。 关键词：纳米孔；黑硅表面；太阳电池；金催化 1 前言 的流程仅仅是表面腐蚀由常规的酸腐蚀或者碱腐蚀 进一步降低表面反射，提高太阳电池的转换效 转变成黑硅表面结构腐蚀（示意图1 中的“步1-步 率能够有效降低太阳电池的生产成本。Sai 等人研究 3 ”）。实验中所采用的硅片衬底为单晶125 × 125 (φ [1] 2 报道了黑硅表面结构 的平均反射率能够小于 3%， 150)mm ，电阻率为1.5-3 Ωcm，p-Si(Cz)。 研究者制备的黑硅太阳电池转换效率之所以优于抛 光参数电池，主要在于多孔黑硅表面增强了入射光 步 1：cp4 双面抛光 的有效利用，从而提高了电池的短路电流密度（Jsc ） [2-7] ，而开路电压（Voc ）、填充因子（FF）并没有受 步2：金颗粒沉积 到影响。目前纳米孔黑硅表面结构的制备方法有很 [8-10] 多 ，主要原理是基于硅（Si ）在氢氟酸（HF）、 步3：多孔黑硅表面结构腐蚀 双氧水（H O ）混合溶液中通过贵金属催化作用而 2 2 进行的氧化还原反应： 步4 ：清洗 Si+H O +6HF=2H O+H SiF +H ↑ (1) 2 2 2 2 6 2 从式（1）看出，贵金属在过程中不可或缺。在 步5：扩散 衬底表面沉积贵金属的方法较多，有蒸发法[3, 11] ， [7, 12] 也有电镀法 ，但是这些方法对于衬底表面沉积 步6：二次清洗 的金属尺寸很大，很难实现纳米控制。还有一种方 法在于溶液沉积法[13] [14] 。 步7 ：P ECVD 前表面沉积SiNx 减反钝化膜 本文采用金催化湿法化学腐蚀制备了低反射率 的多孔黑硅表面结构，并且按照常规太阳电池生产 步8 ：丝网印刷前后电极、烧结、测试 的方法及流程制备了黑硅太阳电池。为了对多孔黑 图1 黑硅太阳电池制备流程 硅电池性能影响进行研究，本文进行了不同程度的 Fig.1 fabrication processes 磷扩散掺杂，对电池的性能进行了测试分析。本组 2.1 黑硅制备 人员对多孔黑硅太阳