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浅介 2007 年诺贝尔物理学奖与自旋电子学 翟宏如 翟 亚 2007 年 10 月瑞典皇家 磁电阻与巨磁电阻 科学院宣布，将该年度诺贝 磁电阻是指磁场使导体 尔物理学奖授予在 1988 年 电阻发生变化的现象。早在 分别独立发现纳米多层膜中 1857 年 W. Thomson （开尔文 巨磁电阻的法国 Albert Fert 勋爵）发现了铁和镍的磁电 教授和德国 Peter Grünberg 阻。他写道：“铁在磁力作用 教授。 下，磁化方向的导电电阻升 巨磁电阻（Giant Mag- 高，而在垂直方向的电阻降 netoresistance ，GMR ）的发 低。”故称之为各向异性磁电 现是物理学中的一个全新效应和突破。它基于自旋 阻（AMR ）。磁电阻的相对比值 MR 可表为： 相关导电，电阻与传导电子的自旋方向有关。微弱 MR=ΔR/R= （RH-R0 ）/RH 。RH 和 R0 分别为磁场作用 磁场可引起纳米多层膜的电阻发生巨大变化。它被 下和磁场为零时的电阻。MR 值随磁场增大而增大， 制成高灵敏磁场传感器，特别是超高密度硬盘磁记 最后达到饱和。铁磁金属与合金的饱和磁电阻值很 录中的高灵敏读出磁头，解决了关键性技术，可读 小，约 1%～5% 。在上世纪 70 年代以前，AMR 并 出纳米尺寸磁记录单元的微弱磁场信号。1997 年基 未获得应用。软磁合金的饱和磁场很小，约几个奥 于 GMR 效应的硬盘读出头进入市场，使硬盘的记 斯特，甚至更低，因而具有对弱磁场的传感效应。 录密度成倍增长。此后，该技术继续使硬盘的记录 上世纪 70 年代，应技术需要，AMR 磁场传感器成 密度、容量和小型化程度不断提高。直到最近，灵 为商品，用于机械运动的自动控制。90 年代初，AMR 敏度更高的隧道结磁电阻读出头，仍然是 GMR 效 硬盘读出头代替了灵敏度较低的感应式磁头，使硬 应的进一步发展。GMR 的发现引发了世界范围的研 盘的记录密度每年以 60% 的速度增长，达到 1～ 究热潮。自旋相关导电机理、层间交换耦合、隧道 3Gb/in2 的水平。人们曾经企图寻求提高磁电阻的途 结磁电阻、庞磁电阻、磁性半导体和自旋注入的理论 径，但未获成功。实际上，自从 19 世纪开尔文发现 与实验研究，磁性随机存储器和磁性逻辑元件以及其 AMR 以来，其MR 值没有明显提高。那时人们以为 他新型应用的研究与开发，不断出现，引人入胜。 磁电阻传感器和读出头性能的大幅度提高是不大可 传统电子学只考虑电子电荷移动导致的电流， 能的。因此当 1988 年发现 Fe/Cr 纳米多层膜在低温 电流与电子的另一个基本性能—— 电子自旋——无 下具有接近于 50% 的 MR 值，室温下 MR 值也比各 关。但 GMR 及其后的相关发展则是基于同时利用 向异性磁电阻大得多时，当然使人们十分惊异，并 或巧妙操作电子的电荷与自旋这两个基本性能和他 且立刻引起世界上物理、材料、电子、计算