- 75
- 0
- 约8.27千字
- 约 9页
- 2015-07-22 发布于安徽
- 举报
优秀毕业论文,完美PDF格式,可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文提供参考!!!
超高压半导电屏蔽料的性能特征研究
上海斯瑞聚合体科技有限公司 冯军强孙策
文摘:本文从半导电屏蔽料(以下简称“屏蔽料”)在电缆中的作用机理出发,探讨了屏蔽料体积
电阻率,杂质含量,挤出光滑性能对电缆损耗,击穿等电气性能的影响,从而提出对高压屏蔽料低
电阻,超光滑和超清洁性的要求。
关键词。高压半导电电阻损耗
1.前言
屏蔽料作为XLPE绝缘电力电缆的第四单元起着均匀导体表面电场,消除界面气隙,
降低电缆损耗,保护主绝缘的作用n1。在高压电缆中存在着导体、屏蔽层、绝缘层相互
接触的界面,从而引起种种效应,包括场强效应、热效应、界面效应、这些效应直接影
响电缆的运行性能和长期寿命。
本文综合分析电缆中屏蔽料层的界面现象,包括半导电层的主要功能,其中特别是
提高电缆的局部放电和树枝放电特性。此外还有半导电层的电气参数(电阻率p和介
电系数e)对界面效应的影响以及半导电层和绝缘层界面弱点对电缆运行性能的影响。
通过这些分析提出对高压屏蔽料的特殊要求。
2.半导电层的场强效应
半导电层结构改善径向电场分布是基于半导电层介电系数大于绝缘层介电系数的
分阶原理,即由于加上半导电层后电缆结构中介电系数e分布状况的改变,导致电场
分布的改变。存在内外半导电层时,最大场强在内导电层表面而不在线芯导体表面。推
导过程如下:首先要求出半导电层的介电系数e1(式l);
£ 产 1
一眈 ,一4 甄~“
一@ 坐”^l上钆巧
式中:C~电缆总电容;d。一线芯外径;d广内半导电层外径;d。一绝缘外径;£2_
..285.
绝缘层介电系数。用l式可求得半导电层的介电系数£。,同时测得绝缘层与半导电层
的组合的tg6。如图1所示:
图l
20 40 60 80
图中£。的计算值在15‘20左右,图中所得tg6、温度和e。’温度关系与极性介相
应关系很类似心1。
以线芯半径r。、内半导电层外半径r。、半导电层的e。、绝缘层£:、绝缘外半径r。
代入半导电层最大场强Emax,(即线芯表面r。处场强)和绝缘层最大场强(即内半导电
层外表面r,场强)Emax:.由相应计算式可推导出(式2).
—Em—ax2=—EI—rC2
E黜I £2rl
芯导体表面最大场强Emax,的结论。
图2
[
径向场强分布的改善相当于分阶绝缘的作用,以防止线芯半径rc处场强特高引起气
隙放电,把高场强移向内半导电层外表面r。处(见图2),且内半导电层与导体几乎等
电位(条件是内半导电层电阻率相当低,如电阻率不大于103Q·m),而紧密结合的内
半导电层与绝缘层间的气隙难产生(条件是工艺加工和半导电层的材质要好),从而改
善了局放特性和树枝放电特性。
3.半导电层的热效应
1.电缆损耗
考虑到半导电层的电容效应后,电缆结构的等值电路如下(图三):
图3
Ro Rm
Co Cm
60 6m
tg tg
6。;&、Co分别为半导
图中&、C。分别为半导电层的电阻、电容,其介质损耗为tg
6,
电层的电阻、电容,其介质损耗为tg&.。由此等值电路推导出电路的表观介质损耗tg
‘31(式3);
T96。=坠嗓剁型擎掌塑塑世尝堕39”
Mt96M(I-{-t926。
您可能关注的文档
- Wnt-10α%2fCatenin-β及TGF-β3下调促进矮小型鸡肌内脂肪沉积.pdf
- YIY-PAG-ⅢB型淬火液在大型中高合金钢工件淬火领域应用.pdf
- ZlC1启动子甲基化在乳腺癌中的表观调控及其与苦参碱联合抑制人乳腺癌细胞生长作用与研究.pdf
- Zn在高炉中热力学行为与研究.pdf
- γ-谷氨酰半胱氨酸合成酶与转录因子激活蛋白-1在吸烟气道上皮细胞的表达及研究.pdf
- 阿司匹林联合血栓通治疗脑梗塞的临床探讨.pdf
- 阿托伐他汀钙生产工艺与研究.pdf
- 埃克替尼治疗肺癌致间质性肺炎一例并文献复习.pdf
- 艾灸对脑出血大鼠引起脑水肿抑制作用与研究.pdf
- 艾灸穴位治疗痔疮术后尿潴留效果观察.pdf
原创力文档

文档评论(0)