现代磁场传感器技术最新进展.docVIP

现代磁场传感器技术的最新进展! 1　引言??? 磁场传感器已在科研、生产和社会生活的方方面面得到广泛的应用。磁场传感器与其它探测器的不同之处在于它们不是直接测量物理特性。其它如温度、压力、应变或流量等传感器直接给出所需要参数的信息，而磁场传感器探测在磁场内出现的变化或干扰，从中得到如方向、压力、旋转、角度或电流等的信息。这些传感器的输出信号需要进行一些信号处理来翻译成所需的参数。尽管磁探测器用起来有些困难，但无需物理接触，它们提供的数据却非常精确可靠。??? 有许多物理定律可用于实现磁传感器，它们包括：磁感应、电磁效应、核子运动、超导量子干涉、磁致效应、磁—光效应等。??? 磁传感器通常可按照低、中、高磁场感应范围分为3类。大于10G的被称为偏置磁场传感器；在1μG到10G范围中的是地球磁场传感器；探测磁场小于1μG的装置被认为是微磁场传感器。2　偏置磁场传感器??? 大多数工业传感器使用永久磁铁作为探测的磁场来源。这些磁铁通过将靠近它的铁磁体磁化或偏置，然后测量在它周围总的磁场的变化来确定磁场对所测铁磁体的影响。偏置磁场传感器只能用来测量比地球磁场大得多的磁场，但不会被大磁场临时倒置极性或永久影响。在这个范围内的传感器有：簧片开关、InSb磁敏电阻、霍尔器件、巨磁敏电阻(GMR)传感器等。2.1　簧片开关??? 簧片开关被认为是能产生工业控制可用输出信号的最简单的磁传感器。它由一对柔性的铁磁触片密封在一充满惰性气体的容器(通常是玻璃的)中而构成。磁场沿触片长轴磁化触片并使它们互相吸引而闭合电路。因为通常在使电路闭合和断开的磁场间有相当大的磁滞现象，簧片开关完全不受磁场中小波动的影响。2.2　霍尔传感器??? 霍尔传感器的基本原理是：如果对位于磁场中的导体施加一个电压，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个与磁场强度成比例关系的电压。通过检测这一电压值大小就可确定磁场大小。??? 不同情况下，霍尔器件中的导体可以选用不同的材料：在需要考虑成本的情况下，霍尔器件通常用n-type硅制造；而在高温情况下。就需用GaAs材料制造；InAs、InSb和其它的半导体材料具有高电子迁移率的特性，这使得它们具有比硅霍尔器件通常10～20 kHz更高的灵敏度和频率响应能力，通常用于制造高灵敏度和高频响霍尔器件。此外，因为霍尔传感器通常和其它一些半导体结构一起集成使用，霍尔器件材料和半导体基体的兼容性也显得非常重要。2.3　巨磁敏电阻(GMR)传感器??? 巨磁敏电阻(GMR)传感器是通过检测多层薄膜铁磁/非磁性金属会随着磁场变化而变化的阻抗来检测磁场的。??? 最早在1988年，Baibich等在Fe/Cr超晶格和由磁性和非磁性金属薄膜交替组成的多层膜内发现了GMR效应，其磁敏电阻的变化可高达3%~45%。但这一效应由于存在强的层间耦合作用，饱和场强太高，难于应用。1991年至1992年，Dienyt和Coworkers等发现，如果把两个无磁耦合铁磁膜中间用非磁性金属层隔开，形成一个“自旋阀”多层膜，其磁敏电阻的变化率可达4%~10%以上，且用它们做成磁头，不但灵敏度高，线性度和稳定性好，而且噪声也小。90年代中期，各先进工业国在讨论硬磁盘实现高密度化(例如达到100 G字节)时认为，读出头是技术关键。经过紧张的攻关，1996年日本东芝宣布，用自旋阀膜开发成功可读出面密度为5 Gb/in2的磁头。到1999年，IBM研制成功了可达12 Gb/in2的自旋阀膜GMR头，可读出在3.5英寸硬盘中记录的100 G字节的信息。至此，巨磁敏电阻得到了广泛的应用。2.4　巨磁致阻抗(Giant magnetoimpedance)传感器??? 巨磁致阻抗的原理是在非晶体线上通以高频(10kHz以上)电流时，在磁场作用下，线两端的电压会发生巨大的变化，即其阻抗发生了巨大变化，且这种变化与线的长短无关。这种阻抗变化可高达10%~100%/Oe(AMR的磁灵敏度为0.1%/Oe,GMR为1%/Oe)。而且，用在科尔皮兹振荡器或多谐荡器中做线路元件，发生谐振时，电压变化还会增强。用这种元件组成的上述两种电路已成功地做成器件，并可以集成应用。这种传感器可用在计算机硬盘读头、高分辨率磁编码器读头、汽车导航和电力配电网络、材料无损探伤等方面。3　地球磁场(中磁场)传感器??? 中磁场范围传感器通常被用于在旅途中确定方向，侦察交通的异常状况及在航行或飞行中确定轮船或飞机的偏航率。此范围内的传感器有磁通门传感器、磁感应磁力计、各向异性磁敏电阻器等。3.1　磁通门(Flux gate)??? 磁通门传感器是罗盘导航系统中使用最普遍的传感器。它最早于1928年发展起来，之后在军事