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吸收边界条件的等波纹优化 袁伟良史小卫梁昌洪 西安电子科技大学微波电信工程系西安710071 摘要：本文研究了一类镟分算予型局域吸收边界条件的优化，采用其反射特性的等波 纹准则，以改善边界条件的吸收性能。分析了等波纹宽度和等波纹高度之间的关系， 解释了这类吸收边界条件应用到电磁问题模拟所产生实际效果的原因。 1．引言 吸收边界条件是时域有限差分法最关键的技术，目前已经提出了多类吸收边界条 件，其中一类是局域吸收边界条件，如廖吸收边界条件…和Mur吸收边界条{牛“。本文 以等波纹条件为准则讨论这类了吸收边界条件的优化问题。 2．吸收边界条件的等波纹优化 分析表明(3】，Mur吸收边界条件等可以归入如下^阶良态微分算子型吸收边界条 件，以左边界面x=o为例，^阶微分算子型吸收边界条件可以表述为 I。-：I，c-耋一Tcosg吾肛。 (1) 由此边界条件造成的理论反射系数为 。”=密矧 廖吸收边界条件在极限条件下构成的微分方程也可以归入式(I)。同样，Trefethea等人 采用有理函数近似H1构筑近似单向波方程，获得的不同类型吸收边界条件也与式(1)完 全等价，其中由Newraan点插值准则获得的=阶和三阶吸收边界条件的全吸收点分别只 有～个和两个，在入射角8=90。上将全反射入射波，理论吸收性能将下降一阶。 大部分局域吸收边界条件可以归结为式(1)来统一研究，适当选择参量可以加大可 容忍反射误差下的入射角范围。由于反射系数式(2)在小入射角附近具有波纹特性，为 了提高其吸收性能，希望在给定范围内其具有等波纹特性。为了简化分析，采用 Ⅳl～ 一I (osq≤l，xE【o，lD (3) 口(D=扩(z×=弭臣i剥 I_II…一Il 对于一阶情况，等波纹条件下，等波纹宽度为L=l—a；，x=l和x=a?是两个等 波纹点。全吸收点(即零点)为，=口．，等波纹区域内的最大反射(即等波纹高度)为 ‰=11一at)／(1+口1) (4) 对于二阶情况，定义常数％=(n，+吼)／2’，『『。=√：五，等波纹条件下，其零点分别为 r————t r———●， 、1 口∽--√”。／214t+m：±(1一Ⅲ。” (5) 因此等波纹约束下，吸收边界条件反射系数分布由m。决定。吸收边界条件的等波纹点 m：，等波纹区域内的最大反射(即等波纹高度)为 在x；1，m。，m：，等波纹宽度为L一1 一16— ‰：茸!丝二堕! 峥’(6) ‰。再丽 式(6)在区间【o，l】范围内是m。的单调递减函数，因此等波纹宽度和等波纹高度之间存在 矛盾。对于三阶情况，等波纹区域内的最大反射(即等波纹高度)为 ，．．卜∥x+6．-#1i／f,l+。6。-1, ‰。可再丽 而三个全吸收点(即零点)(设口，a：‘码)和等波纹点分别为 妒-a+”何硒肛铲a (8) ～=蕊再不菥丽司 等波纹宽度为三=1一a2，其中n是参变量，而6，为 (10) 哇{臃丽+产而焉 图(1)