Si-%2c0.7-Ge-%2c0.3-%5cSi多量了阱PIN光电探测器.pdfVIP

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2015-07-25 发布于安徽
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Si-%2c0.7-Ge-%2c0.3-%5cSi多量了阱PIN光电探测器.pdf

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孔，有效面积为≈×0．52mm2。 3器件特性左右。在反向偏压山4V叫的暗电流密度约为56pA／Ltm：。川傅里叶光谱仪测得的光电流谱如图3所示。电流谱是在不周的反向镛乐F测得的，可以看出，峰值电流在o，95／．tin处， lnGaAs探而在1．3“m处观察到了明显的光电响鹿，且光电流随反向偏爪n勺变化小人。_I_}I 测器作校正后，得到1．3pm处的掣：r效率为0．1％。而在峰值0．95ktm处的量子效率uJ以达剑20％。一r|i谪1 ， I唑堂r_ ／ ≯．■}j j，■…j一。．．．幽2PIN光电探测器的I—v特性陶3PIN光电探测器的光电流谱 4结论其光L毡流响应波长已扩展到1．3btm以上，在1．3Ijtm处测得的外量子效率为O．1％，光电流随外加偏压的变化不人。如果器件结构加以改进，肯靼得到高量子效率适合光通信tL}=|的长波长硅基光电探洲器。参考文献【1】S．Luryi，T．P．Pearsall，H．TemkinElectronDevice et．al，IEEE Letters，7(2)，1986． et．al f2】H．Temkin，T．P．Pearsa]l，J．C．BeanAppl．Phys．Lett．，4s05)，1986．【3J Adrian TransactiononElectron Vonsovici，LiliVescan,R．Apetz，et．al，IEEE Device， 45(2)，1998． Photonics 【4】A．Splert，T．zinke，KPetermann，et．a1．，IEEE Lett．，6(1)．1994 Technology 585- Si,0.7Ge,0.3\Si多量了阱PIN光电探测器作者：杨沁清，李成，王红杰作者单位：光电子国家联合重点实验室中科院半导体所引用本文格式：杨沁清.李成.王红杰 Si,0.7Ge,0.3\Si多量了阱PIN光电探测器 [会议论文] 1999