InGaN薄膜应变弛豫及其对薄膜结构性质影响.pdfVIP

第十二屠垒曩固体●—事木套证 膏宁2010 lnGaN薄膜的应变弛豫及其对薄膜结构性质的影响 王辉’宇I；希。江德生。朱建军‘赵德刚1刘宗顺。张书明1杨辉2 1巾国科学院半导体研究所．北京100083 2中国科学院荞州纳米技术及纳米仿生研究所．苏州215125 瓤，本文研究了在GaNJ：卅延牛长InGaN薄壤中应变及缺陷随厚度的变化．研究发现．I∞nm 厚的ImllG～99N薄膜与GaN层基本保持共格状态。随着厚度的进一步增加，InGaN层开始弛腺， I 往弛障过程中InGaN堪中产生了离密度的穿透位错．其ln组分帆0I±If加到0．2．在InGaNr／塍中 存在若应变和In组分梯度变化的过渡层。 关酾tInGaN，位t＆．金属有机物化学气相沉积(MOCVD)：X射线衍射(XRD) 1引言 作为制各{{}膜太阳能电池的一种碹要候选材料，IBGaN的带辣的变化范匿是065．34“Il“．这 个能量范围几于覆盖了接个^阳光谱(0．44ev)且连续町谢，因此理论上1F常适宜制备多结、叠光 {普太闭能la池。但是．采用单一的InGaN材料体系制备高效率』‘期能电池仍然存在者很大用难。 在]nGaN／GaN^阳能屯池结构中，尽管InGaN材料舯能量大于带宽的入射光有报岛的吸收系数 (lO’c五。)。l}i要使得95％以上的入射光被嗳l|5【．簿要InGaN层的厚度大于300rim。 由于块少品格匹配的衬底村料．实验中通常果埔两步法生长的GaN薄膜作为赝¨底外延生长 薄啦厚度大。维持共格乍K的临界厚度时，外延生妊的InGaN洱膜丌始弛豫．并会产生大量的品体 缺陷．这些缺陷会擞大地降低电池的光电转换教率。另一方面．InGaN薄膜中的臾配应山开始弛豫 时．触后牛长的InGaN层的ln维分会增加，即所谓的“拖拽教应“”，这种沿生长方向的组分币均匀 性也会影响InGaN太阳能电池的性能。田此．对于lnGaN厚膜生长过程tp应变的弛缘厦缺陷的产生 过程的研究对于进一步政善晶体质量．提高器件性矩至盖重要。 本文研究了Gabl上外延生长不同厚度InGaN膳中应变和In组分变化。研究发现．弛障过程对 rInGaN薄腆的结构性质有很大的影响。而且．往InGnN厚膜巾存往若应变_}组分梯度变化的过渡 培． 2她 长条件下．我们分别生长厚度为50nm(样品A)、160 3．培果和讨论 ；}|瀵． 豢 田l 第十=詹垒膏舞伴尊曩学木套愎 南宁2010 小．撤掘倒易搭点的位置确定的I嘲分为0II”J．对j二样品c．其倒易拼^的最大斩射强度位J。弛豫线 上(R-．袁i月[nGaN薄膜-1，的人部分己完全弛壤．弛豫音B分InGaN的In}il分增加到O2。而样品B的 lnGaN侧耪格点的最^甜射强度位于完争接格和完争弛摩线之删．表明薄腱处于部分弛豫状态．同时 注意到样品B目lc在InGaN僻茹格点柠『舯强度蛙太的位置和』}格线2间仍有衙财强度，说硝在这阿个样 品巾存在应变及组丹的变化屡．以上实验结粜表明，[no．．G缸剜薄膜中应变在100nr(t以F就开始出现 弛腺．随肴厚度的增加．随币生长的[nGaN层孵{电像度和lnff【分同时增加．：I项都生长的InGaN层完 会弛豫后．In组分不再发生变化。同时．我们拄现即使顶甚*]InGaN完全弛璩．其底部靠近界面区域 仍保特了与GaN共格的就态．在底部兆格InGaN层和顶部弛豫的]nGaN层之问存在应娈和fn组分渐变 区． 罔2(a)和(b)所示为样品A和样品c的TEM截Ⅲ阿．陶中白色箭头所日÷位置为InOaNiJ(3aN堪2 问的界面．从图2(a)中叮咀看到一根穿透位错[IIGaN层进入[nGaN层，脒此之外，在199nm厚的 nm厚的InGaN层 I毗lIG缸¨N层中没有观察到其它的位话产生．世与100nm厚的In(SaN层相比．在450 中有大量的结构缺陷产生，兑中主要是位错．如圈2fo)所不，根据位错的形态变化．450nra