浓硼选择深扩散的双掩蔽层工艺的研究.pdfVIP

浓硼选择深扩散的双掩蔽层工艺研究 徐涛田大宇李婷张国炳武国英 北京犬学微电子所微米／纳米加工技术国家重点实验室北京100871 摘要本文对浓硼选择深扩散工艺进行了研究，针对高浓度深扩散时由于需 采用火厚度的Si02掩蔽层而带来的-[艺问题，提出了采用SiO：加si3N。的 双层掩蔽层的改进方法。经浓硼选择深扩散实验证明，双层掩蔽层不但I． 艺难度低，而且掩蔽效果良好，是一种很好的一I：艺形式。 关键词浓硼扩散微机械加上工艺掩蔽层 1．引 言 随着MEMS技术的飞速发展，对各种现有的硅基加L：工艺提出了许多新的要求。浓 硼扩散_[艺由于能够精确控制硅的箨向异性腐蚀的自停止终点，现已』“泛应用在微机械结 构中各种梁、膜的厚度控制中11“。由于微机械结构r}I粱、膜的厚度一般较厚，需扩散的 深度较深，所需的SiO：掩蔽层很厚，困此目前普遍采用的浓硼深扩散]_艺是人面积的整 片扩散l。”。由于浓硼掺杂后硅上已不可能再制作电学器件，这使得微结构制造和集成电 路制造的工艺兼容性大夫降低，从而对MEMS系统的集成化产生影响。 为了实现电路与微结构的集成制造，在浓硼深扩散时就必须进行选择扩散。选择扩散 通常是用SiO：作为扩散的掩蔽层。由于扩散时硼在SiO：层中也进行扩散，囡此在高浓度 深扩散时所需的sio，层很厚。实验显示：扩散深度为51．tin时，所需的si02层厚度为 I．4p_mt…。如果所需的扩散深度更大时(大于10“rn)，所需的Sio层厚度将变得非常厚， 这将大大增加1二艺的难度。为了解决这～问题，本文对掩蔽层进行了改进，将常规的si02 单层掩蔽层改为si02加Si，N。的双层掩蔽层，取得了满意的实验结果。 2．实 验 2．1双层掩蔽层的制各 实验材料是N型(100)、3～50cm、4”的双面抛光硅片，清洗后进行如F的工艺操作： (1)在1000℃的温度下热氧化4000A,的SiO。时间为55分。 (2)在780℃的温度下LPCVD2000A的Si，N。，时间为69分30秽。 (3)光刻。保留方形的掩蔽窗口。 (4)P-dE刻蚀Si3N4。 (5)温法腐蚀，漂掉Sio，，过腐蚀200A。 2．2浓硼深扩散 实验采用固态源扩散法，所用的扩散源为美国产的“佳硼掺杂剂源”，其工作温度为 温进炉，经50分钟升温到1150C，保持在这一温度下进行扩散，扩散时间分别为6小时 30分和13小时30分，扩散完成后自然降至室温出炉。整个过程都是在N，保护下进行的， 其流量为5l／min。 扩散完成后进行低温湿氧氧化，温度85012，时间1小时，以去除扩散表面的污染物 质。最后用湿法腐蚀除去作为掩蔽层的Si，N。和SiO，。 209 “ASR～100C／2型自动扩展电阻测试仪”对二个样片进行测试，样片 磨出的斜面角为2．8。。样片1测试扩散时问为6小时30分的扩散R的扩展电阻，样片2 测试扩散时间为13小时30分的扩散医的扩展电阻，样片3测试扩散时间为13小时30分 的掩蔽区的扩展电阻。最后得到的杂质浓度随深度的变化曲线如图l~3所示。 2．4扫描电子电镜观测 用美国产的“AMRAY--一FE型场发刺扫描电子显微镜”对扩敞后的硅片表面进行观测， 确定扩散区和掩蔽区的表面质量，并1j扩散前的硅片表面质鲑进行比较，以便对L艺过程 进行评价。拍摄的扫描电镜照片如图4所示。 3．结果与讨论 3．1扩散区特性 图l、图2表示的是扩散区杂质浓度随深度的分布情况。图1显示；在小y-5．％tin的 2×1020 深度内杂质浓度处丁4×10”cm-3 cm‘3范围，深度大丁-5．7um后杂质浓度迅速下降， 图2显示：在小于lOpm的深度内杂质浓度处f4x10”cm-32×102。cm。范围，深度大于10p．m 后杂质浓度迅速卜降，在14¨m深度处形成一个PN结，深度人于15“m厉杂质浓度稳定 在2×10“cm。3的水平上。 幼t