硼硅酸玻璃陶瓷基板材料研究.pdfVIP

第jo卷第2、3期 混合微电子技术 V。I lO N12·3 硼硅酸玻璃陶瓷基板材料的研究 电子科技大学邓宏姜斌扬邦朝恽正中王恩信 摘要本文以复台材料的复合效应作为设计低烧结温度、低介电系散基板材料的依据．通过 测试材料的电性能参数，用扫描电镜分析材料的结构，在接zo％～30％siO：时，获得了硼硅酸玻璃 3． 陶瓷系列，介电常数小于4．5(1MH。)．损耗角正切小于4×lo 荚键词硼硅酸玻璃陶瓷基板 j．√j 、一j：- 上原因，开发低烧结温度、低介电系数和与硅 l前言 相匹配的热膨胀系数的基板材料就越来越受 随着微电子技术的发展，混合集成电路 到重视。低温共烧多层布线陶瓷基板，具有布 的封装密度越来越高，功能越来越多，并向部 线层数高、介电系数低、布线导体方阻小、热 件、子系统、系统的方向发展，即在一个基板 膨胀系数和硅器件匹配等优点。因此，近几年 或基片上贴装或埋入若干VLsI裸芯片和无国际上对它进行了深入和较全面的研究。低 源元件，形成具有一定功能的部件或系统。多 温共烧低介基板材料大致分为三类：(1)晶化 芯片组装(McM，MultichipM0dules)由于其 玻璃系；(2)玻璃一陶瓷系；(3)非玻璃系。本文 小型化、高密度、高可靠、多功能和高速化的 对硼硅酸玻璃陶瓷系的复合效应进行了研 优点而得到迅速的发展，已在计算机、通讯、 究。 军事，航天等领域得到了广泛的应用(如相控 阵雷达RT组件)，引起各国政府和军方的极 2实验 大关注。由于集成度的提高，如何缩短电信号 在互连线上的延迟时问，已成为进～步提高 在硼硅酸玻璃(BSG)、高硅酸玻璃 电路工作速度的关键问题之一。其中，基板材 (HsG)及A120，的三元系中，在低Al。O。相 料的介电系数是影响电信号传输速度的重要 区具有很小介电系数，如图l所示。因此，我 嘲素，电信号在传输线上的延迟时问为Tpd。c们采取了低AI：O。相的系统设计。 e“2／c(c为光速)。此外，由于半导体集成电 将材料按配方比例混合．经充分研磨后． 路中芯片集成度的提高，芯片面积的增大，要 在高温炉中1350℃左右熔融，保温o．5小 求基板材料的线膨胀系数(n)应尽可能与单 时。取出在水中淬火，粉碎、球磨12小时，即 晶硅(n=2．33×10-‘／℃)相匹配。再者，高密 获得硼硅酸玻璃，编号为Dw一3。 度多层布线用的低电阻率导带材料(如Cu， 将Dw一3粉料与sD。按设计比例混合， Ag，Au，Pd—Ag等)的烧成温度较低( 充分研磨，成型。在空气在烧结，烧成温度为 1000℃)，所以基板的烧成温度不能高于 1000℃，便于将导带与基板一次烧成。基于以850‘C，保温一小时，自然降温后，取出样品。 ·103· _ 鞲