双层多晶硅自对准双晶体管及其电路.pdfVIP

双层多晶硅自对准双极晶体管及电路 张利春 高玉芝金海岩冯国进罗 葵宁宝俊张广勤刘诗美 北京大学微电产所100871 摘要：本文报道了双层多晶硅结构的硅双极品体错及电路的制作和性能结果。这种结构有 效地减小了器件的基区面积。测试结粜表明，t刚#管有良旦『的交直流特性。在发射区面积 为3×89in二时，晶体管的电流增瓶截止颧牢为b IGHz，19级环振平均门延迟小丁二40ps，硅静 态二分频IIIIT_作频率大P3Gttz， ‘、引言 在逍高速集成电路领域，硅取极技术f’有重要的地位，这是因为双极器件比MOS器件 具有更强的驱功能／J，更大的跨导和更陕的速度。而先进的硅观极器件大都采用双层多品 ^t啦时救锚构_|““；!j r尊层多品硅发射阪双极器件相比，双层多晶砖结构有以下优点：采 ‰：§掺杂的多品硅做外基区的引线，瑟极金属电极外移到有根区外的场氧化层【：，使有源 K嘣积减小，衙金属接触区町以做得很大；发射医宽度也4：完全由光刻所能达到的最小线 宽所决定。通过调整删墒的宽度，可眦改变发射区的宽度，在相同的光划最小线宽条件下， 『1f以将发射陋做得延小，由r两层多品硅之阻l有介质隔离，可使发射极宽度远大】：发射区 的宽度，形成T型发射慨结恂．降低r发射撅l乜m，提高了器件的成品率和可靠性。实现 议垤多品硅样仲结恂冉多种]：芝^法j结f}我们已开发成功的单层多晶硅发射极晶体管 制作f．艺，研制r双层多品碡双段晶{奉管¨々制作工艺。由于fj对准技术的采用，在光剡最 小线宽、令腐化条宽．条距1j甲层多品硅丰H同时，器件基区面j{}{仅为单层多晶硅器件的 4∽“仃源Ⅸ面积减小为炽来的72％。采用这种工艺流程，已经研制出发射医光刻尺寸为 3×ggin一、特征频率为6 1GHz的硅烈锹晶体管、平均门延迟小一fa4(’ps的19级环形振荡器以及 1．㈣顽率人f3GHz的硅静态二分频器。 舣层多牖砰品体管的1一艺制作 4咖mⅡ【f|耘搀录事晶硅曩霎ll盈P‘多晶许l|ll§§酒n’多品硅 —一锚硅化啊器鳓铝qI线 幽1舣堪多品硅晶体管的剖衙隆I 726 ．1一 双层多晶硅晶体管的结掏剖面图如图l所示。N2是制作双层多晶硅晶体管及电路的工 艺流程方框图，在工艺中我们采用了深槽隔离、浅结薄基区、自对准结构．钴硅化物技术 以及L型复合侧墙{4喀国际上先进技术，制备出性能良好的双层多晶硅自对准双极晶体管和 电路： 匿雪—}匾}{要卜 晶硅外基区5 射扳基区蛔墙的形 晶硅发射 自对准形啦 内基区的注人 形成 区互卜趣翌卜西 图2工艺流程方框图 三、器件性能 我们用HP4156B精密半导体参数分析仪测量了双层多晶硅自对准双极晶体管的直流 20—24V，EB结正向压降在ImA电流时为0．9～O93V。图3给出了器件的Gummel图，由图 可以看出，在小电流下器件增益良好。图4显示出器件的输出特性。在放大区，Ic随VcE的 增加上升很少。在tc—ImA时，电流增益为57。由HP8510C网络分析仪测得发射区光刻尺寸 为3×svun：的器件特征频率fT为6．1GHz。用此种结构的双层多晶硅自对准双极晶体管制作的 19级环形振荡器平均门延迟小于40ps，静态二分频器的工作频率太于3GHz。 ／，，， ／ ／ ／ ／ ／。 ／ ／ ／