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双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 陈盘训 (中物院应用电子学研究所成都527信箱610003) 文摘本文综合介绍双根线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率 下辐射时，这些器件在很低的总；f!I量水平即告失效，失效阚较高剂量率辐射要低得多．它是 因构成线性电路的取极器件发射极—基极结上复盖了厚氧化物．低剂量率电离辐射在氧化物 内产生电荷的传输时问有时要达至4教百秒，氧化物内存在的过量电荷使器件产生增强损伤． 关键词： 线性集成电路 低剂盈率 辐射 增强损伤 I．Sf言 许多电子系统广泛应用线性集成电路，如运掉放大器、集成稳压电源和比较器 等．国外最近几年的研究表明，有一些在辐射环境下工作的线性器件．经受低剂量率 辐射时．总剂量失效水平极低¨l‘151．卫星、空间飞行器和某些武器系统等正是长期处 于这种低剂量率辐射下工作的，而以前所作的大量总剂量辐照模拟试验，接美国军用 方法，y总剂量辐照试验》中的规定，试验的剂量率不能小于0．0167Gy／s，认为在 O．01670yts剂量率或以上所做的总剂量辐射试验，完全可以模拟卫星和低剂量率下工 作的电子系统产生的辐射损伤，从这几年的研究来看，至少线性集成电路按这种模拟 剂量率来作辐射试验是有问题的，它可能使人们产生误导，这就给总剂量辐射(Y、X 和e)研究带来了新的课题。无论是国外还是在国内．在轨道上运行的一些卫星，有 时会突然失效，计算卫星的累积总剂量还相当低，达不到模拟试验时的失效阈，双极 线性电路低剂量率辐射下的失效可能是一个重要原因。 2．线性电路的增强损伤 2．1运算放大器 LMl08A是一种优良性能的运放，具有很低的输入偏置电流，且在空间系统中广 调电压、输入偏置电流和输出驱动能力均保持在容许的限制内。但在很低的Y剂量率 下的试验表明，它可因输入偏置电流的很快增加而失效。图1为LMl08A运放输入偏 骑、盘训：双级线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 置电流变化量与几种剂量率下总剂量的关系，图中对2×103Gy／s和0．5Gy／s赉J量率辐 照得到的结果作了比较．2x104Gy／s剂量率的损伤曲线斜率较0．5Gy／s的要大大增 加。图2为 主 誊 萎 萋 茎 要 ■ 图I．几种剂量率下LMl08A运放输入偏置电流变化垂与总剂量的关系 曾 制 芸 聪 掣 搿 娃 掣 ： 图2几种剂量率下LMl08A运放内部电流掉的退化 尊刑量D／Gy 图3．几种剂量率下MotorolaLM324运放失调电压与总剂量的关系 LMl08A内部电流源在三种剂量率下电流减少的比较，低齐q量率下电流的减少引起失 140 陈盘训：双级线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 调电压和开环增益的陡然变化。 图3给出Motorola公司LM324运放输入失调电压受剂量率的影响，图4为 MotorolaLMl58运放输入偏置电流在几种剂量率下的退化，可以看到，在l×10。～ 5x10。Gy／s剂量率范围内，输入偏置电流的损伤几乎一致，估计该厂家这种器件的剂 量率饱和点在5×lff5 Gy／s附近。上述两种运放的输入级采用衬底PNP晶体管，这种 衬底或横向PNP器件的低掺杂水平使它们对电荷俘获和反型较其它优化线性工艺的