双层多孔硅结构上的低温硅外延.pdfVIP

双层多孔硅结构上的低温硅外延 王瑾㈨黄靖Z-(2’李爱珍(1)包宗明(¨哭东平‘1’竺士炀‘1’ 黄宜平(1’叶志镇‘2’ ¨) 复}：t大学电r工程系上海200433 310027 (2)浙江大学硅木才利国家节点实验室杭卅f I摘要l水文利用掰步阳极化反应形成，小同微观结构的双层多孔硅层n并对多孔硅层 进仃rK叫问的慨温真j兰预处理。在这般层多孔H1．利用超高真宅化学气相淀积低温外延 抉得r硅单。{，1，外延坛。刈臣外诞层作，XRD．SEM和扩展电阻等测量。结果表明获得的P 掣外延硅f|i品性好．释f多孔硅的界面良好，硅外延层的电阻率在135D．,CM左右。 1 引言 gTL_6；I1．90延单晶硅技术可用于制备高质量的FIPOSSOl材料【1-3】以及多扎外延键 Transfer)SO 合，叫ELTRAN(EpitaxialLayer J材利[4}。ELTRAN技术的特点是获得的SOl 硅膜可以非常薄(小于lOOnm)，形成TFSOI材}q，日硅膜厚度均匀。另外根据应用的需 爱也可形成硅膜较厚的SOI材荆。ELTRAN』艺方法较简单．硅膜质量也和体硅相当。因 l比．日前I}二耍的SOl制蔷技术除r ELTRAN方；上， 多J¨{i．的外延，尊^自6}的方沾扼：j＆道何分t’水外延和常规的化学气棚淀积方法【4l。分 r啦外延刘ii符要求商．成本较t锄。常规的化学气相淀干』!方法，外延温度较高，不利于杂 质浓度分布达到理想水平。趣商真审化学气棚淀影：的力‘法．I[艺较简单，目外延可在低温 下进行。夺艾和超高真空化学气相淀积UHV／CVD系统中，利用低温外延的方法，在多孔 娃层I一获榴了质量优良的砬单晶_f；_：。 杓：多孔硅上的硅外延小同F在硅衬底上_-的外延．多孔砬的微观结构以及外延前自，颅处 SOI技术的需要， 理会对外延的过程和外延单晶n层的质量产生明显的影响。为了ELTRAN 一般多孔砖层的J卓度要拧制存10--20微米的范围内．而凡希望多孔硅有较大的孔径。然而 较人的孔径义会给外延带来一定的斟难。因此．水文提出了两步阳极化的方法来形成多孔 6#曙，一方向保i十多孔硅的生长厚度，并目，使下层多孔硅具有较大的孔径．有利于ELTRAN 的。实现，” 方面使上层的多-iLtil：-．々?4构致密．具有较小的孔径，有利于生K商质量的外延 甲6^喇i层， 水文=发现耍获得优质n勺外延单品硅鹱．外延前}‘1,3预处理址‘步非常关键的步骤，本文 提j“J。呻}|f氏温K时间的典j!顾处群的方法，有效的段蕾J’外延层的质量．jF减少了对系 统的^eJ污? 本艾对抉衙的娃外延层进行rXRD．SEM孙扩昶l乜附的测量。测量结粜表明．获得 的¨外延层单66性好．和多孔琏的界丽良＆j’．获衔foi}9r延层的电阻率存L38D_．CM左右。 钳台制蔷群件的耍永。 143 2 实滁 ¨ 剐灏化，j一越丘n』4I扎㈣叔腔，℃反应器中进行的。阳极化的歧赢液为：HFL42wt％)： 几水乙fig．二二=4：【t1：1宅， 0—7∥舟小同微规结构的双联彩jL抖』矗^附极化反应的时候． 最Ⅲj’两砷／、州!u．流事皮晌阳极17簪件。通过阳极化电流的变化。可以改变多孔硅层的多 扎』芟．H¨扎停的人小。第一彬阳极化反』一i的条。}：匀：fa流南度为lOmA／cm：．反应时洲为40 秒7襞接铂『n旃■步阳极化反应的条件为：【U．乱密度为33mA／cm二．反应时间为l5分钟。 ’多fL‘,UL i支i、i衙：Ⅲ：1多孔琏厚度为15微米^一lt K之后刚去离子水进行冲洗20分钟。存 彩丁L砰麦蛳很符易形成 薄层的瓴化‘i．由，这层氧化硅的存在，有效的钝化了多．’．硅的 表面．从而避免了多孔硅表面丑转移过程中与大气中的碳原子成键。111于多孔硅的有效表 皿税很大，容易吸Ⅲ水汽和其他杂质。不仪会使牛长的多孔硅质量鞍盏