硅碳氧薄膜光学性能研究.pdfVIP

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2015-07-30 发布于安徽
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硅碳氧薄膜光学性能研究.pdf

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真空科学与技术学报第32卷第8期 aⅡNESEJOl7IiNAI．OFVAC删S(Ⅲ奠qCEJj心iD．IEalN010GY 2012年8月硅碳氧薄膜光学性能研究李晨’ 陈焘王多书张平 (兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室兰州730000) LiChen。，Chen Tao，WangDuoshu，ZhangPing and and (Sc／ence Technologyon鼬咖ceEngineaingLaboratory，如，幽uInstitute旷跏贸TechnologyPhysics，1．aazhou730000，China) AbstractThesilicon advanced RF oxycarbide(SiCO)thinfdms，an opticalmaterial，weredeposited by magnetmn on K9 substrates．The 8,8the Si(100)and factors，suchsubstrate sputtering dass influencinggrowth evaluated．TheSiCOfilmswerecharacterizedwith uhmviolet ingpower，andpressure，were spectroscopicellipsometry，and risiblenear-infrared resultsshowthatthe spectroscopy(UV—Vis—NIR)，andX—rayphotoelectronspectroscopy．The sputter— substrateand affect，toa rateandrefractiveindex ingpower，pressure，andtype temperature varyingdegree，thedeposition oftheSiCOfilms．Ata 632．8 refractive all of indexof theSiCOfdmson foundtobe wavelengthnIn，the Si(100)Were than the index filmsK9 refractiveoftheSiCO on from1．84to2．20．In higher1．8，whereas glassranges addition，the film transmittanceofSiCOOilK9 Wasfoundtobe inthevisibleandnearinfrared an dass faiflyhigh region，withaverage of83％． Silicon Keyword