带宽为15GHz的高速GaInAs%2fInP平面PIN探测器研究.pdfVIP

徐之韬王任凡陈浩瀚 武汉邮电科学研究院电信器件公司 武汉430074 速GaInAs／InP平面PIN探测器，该器件具有高速响应(15G}Iz带宽)，高响应度(R．为o98A／w)，低暗电(I。=o01hA)， 低电容(o2Pf)和高可靠性 一、引 言 随着光通信技术的发展，高速可靠的GalnAs／InPPIN探测器日益受到重视，尤其是传输 速率在501)／s以上的光传输系统，基本上都采用PIN作为接收器件，而很少采用APD。 八十年代中后期，由于材料生产和工艺技术的限制，高速PIN均采用台面结构。由于台面 结构的PIN的p-n结裸露在外界，因而稳定和可靠性存在严重的先天性不足。随着MOCVD技术的 出现与实用化以及平面技术的完善，台面结构PIN己基本被淘汰，为平面PIN所替代。目前，传 输速率为lOGb／s以上的平面PIN在国外已商业化，如英国的BTD、加拿大的北方电信、日本的 三菱公司及NEC公司和德国的西门子公司等。 目前，2．5Gb／s的光传输系统在我国己研制成功，并已实用化。lOGb／s的光传输系统也正 在加速研究，并即将走出实验室，达到实用化水平。可以预测，随着光通信技术的展．100b／s 高速率大容量光传输系统必将于二十一世纪在我国光通信领域发挥出巨大的作用。这就必须大 量使用lOGb／s的接收器件。 带宽为15GHz的GalnAs／InP平面PIN除用于高速光通信外，还可广泛用于其它领域。因此， 开展这种器件的研究，并使之实用化，这对加速我国高速光传输技术将有积极的意义。 二器件的工作原理与设计 A：器件的工作原理 高速GalnAs／InP平面PIN的工作原理与普通PIN一样，即器件的光敏面受探测光照射时， 由于p～n结处于反向位置，光生载流子在电场的作用下产生漂移，在外电路产生光电流，从而 实现光电转换。 B：器件的设计 常规GaInAs／InP的设计考虑无多大差别，而co的设计考虑实际与速率联系在一起(当然c。也 联系到接收机的噪声)，对于设计合理的PIN来讲，器件的响应时间主要取决于Rc时间常数与耗 尽区的渡越时间之和t。tr由下式决定： tr=RC+W／V； R： 串联电阻 C： 器件的电容 w： 耗尽区的宽度 V。： 载流子在耗尽区中的极限运动速度 器件的渡越时间t，与器件的带宽关系为 269 f(-3dm=O．35／tr【。 ……《 通过计算．可以得到f(一。∞)与器件耗尽区宽W及结面积的关系曲线如图l J 30 o 一 占 々 20 10 0 ∞ _1 j．：c2与娶#砭T-Z TETwj：耋E譬!：亨皂系 匿中还西I兰=T器件的啊度RP与耗尽区宽度w的关系。由图中可见．为了得到lOOb／s以上的高速 GalnhsInP—P J＼光敏面应选在040¨m以下．耗尽区宽度w应选在1．5岫左右。这时可以保证传输 速壹吉lOGb—s以上．ReO 8A／w。我们实际选取的光敏面为035肿，耗尽区宽度W为1．5岫左右。 我们研制的PIN所用的外延片为MOCVD芯片．管芯结构示于图2 臣2 高霆PfN管芯结掏囝 270 三、器件的研制 为了使器件达到设计指标，合理的工艺流程和好的工艺规范是重要的，因此我们经过大 量的单项工艺研究后，证明每项工艺的切实可行性，试制达到理想的结果之后，除采用常规