低暗电流的正面进光高速InGaAs%2fInP光电二极管.pdfVIP

2∞4牛B月埔 第十￡目空∞匕自嘈■峥％自*，饿遵#^_龙q目．降*术々U ，臼寥九眉仝幽氍体硼．—‘学术分议 c； 3 光生载流子扩散到高电场区的时间ts： 4 探测器引线和封装的寄生电感和电容。在没计 时，应折衷考虑 1 和 2 ，因为减小渡越时间t。，要求减薄I层厚度d，而I层厚度d的减小 会导致结电容的增加，从而增大延迟时间tz；同时在确定吸收层厚度时还应考虑响应速度与光响应 度的折衷，因为I层厚度的减小在提高响应速度的同时，将引起探测器响应度的降低。在I层较薄， a 并且忽略延伸电极电容的情况下，探测器响应度下降3dB的频率f，m和响应度的乘积BWE：0．45 5×105cm，s”!，如果设表面反射系数R为0．推出常规PIN结构的BWE大约26GHz左右，可以满足 20～40Gbit／s传输速率要求。 3．21 1．79的透明介质，可以使R接近为0， 折射率 1 之间加厚度为I／4^，折射率n √ 1 但折射率为1．79的透明介质难以找到，且不容易与制造工艺兼容，我们采用两层与制造工艺兼容 的介质，已知该两层介质的折射率，可以计算出实现全增透所要求各层介质的厚度，同样可以达到 减小R使接近为0的目的。 探测器横向和纵向结构如图1和图2所示。 PD2日 叫鲷 撰毫 图1．探测器正面图形 图2探测器纵向结构 3，PIN探测器的制作 互连金属用Ti／