镶嵌有纳米硅氮化硅薄膜键合特性分析.pdfVIP

第26卷，第10期 光谱学与光谱分析 2O06年lO月 and October，2006 SpectroscopySpectralAnalysis 镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析 丁文革，于 威，杨彦斌，张江勇，傅广生 河北大学物理科学与技术学院，河北保定071002 摘要采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜，对所 沉积样品及氮气环境中920℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明，薄膜中 过量硅以非晶纳米粒子形式存在，退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特 性比较结果显示，薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程，硅含量较低样品因高的键合氢含 量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度；退火过程将引起si—H和N～H键合密度的减少，因晶态纳米颗 粒的形成，退火样品表现出更高的结构无序度。 主题词 Ranlan谱；FTm谱；光吸收谱；纳米硅颗粒镶嵌薄膜 中图分类号：0484．5文献标识码：A 文章编号：1000—0593(2006)10一1798一04 晶硅的氮化硅薄膜的红外及可见光的吸收特性进行了比较， 引 言 重点对伴随氮化硅薄膜微结构变化过程中氢的键合密度及结 构特征进行了分析。 氮化硅以高熔点、高密度、高介电常数等特性已广泛应 用于微电子和光电技术等领域。如作为防止离子扩散的阻挡 1 实验 层、薄膜晶体管(TFT)和场效应管(FET)中的门绝缘层、氮 氧化物半导体(MNOs)器件的电荷存储层和光电及发光器件 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术制备非化学 的窗口材料及发光层[1_3]。在这些应用中的氮化硅材料通常 采用化学气相沉积方法制备，含氢化合物源反应气体使沉积 体作为前驱气源，熔石英和单晶硅作为衬底。在薄膜的制备 薄膜表现为氢化非晶氮化硅(a-si№：H)网络结构。对于不过程中，SiHa流量固定为8．33mL·s～，改变Nz流量以控 同的应用，薄膜中的键合氢对薄膜光电特性作用不同[1]。对 制不同的气体流量比R—N2／SiHa，制备不同组分的薄膜。 于TFT的绝缘层应用，键合氢可钝化大量悬键，使薄膜形成 反应气体压强和衬底温度分别保持在o．2Pa和50℃左右， 低缺陷的连续网络而优化TFT的性能。作为H汀的门绝缘馈入功率为350 w。然后将两种样品置入通有氮气的石英管 介质，因键合氢可作为缺陷的初始产生位置，用高于沉积温 式炉中，升温至920℃退火1h。石英衬底上样品的R枷an 度的条件退火制备低氢含量的氮化硅薄膜有利于提高器件的 散射谱采用JY 60 性能。近年来的研究表明[4“]，通过改变生长条件，富硅氮化 上样品的傅里叶红外透射光谱(FTIR)采用Bio_RadV型 硅薄膜可以实现从紫外一直到红外的室温强光发射，尤其是 红外谱仪测量。石英衬底上样品的可见光吸收光谱由卓立汉 经退火处理后，这种材料中有硅量子点形成，其发光强度也 光紫外一可见透射分光计和光热偏转谱(PDS)技术结合测得。 大大增强。因与集成电路工艺相兼容，容易形成良好的电接 触和结构致密等特点，这种纳米硅镶嵌结构在集成发光器件 2结果与讨论 中的应用前景受人关注。键合氢结构及密度的变化对薄膜发 光特性必然存在重要影响，因此，为了解其发光机制并探索 图1给出了在反应气体流量比R—o．3条件下所沉积薄 可能的应用途径，对镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜的键合结