δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边漂移.pdfVIP

　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 掺杂硅 - - - 结构多量 n i p i 子阱吸收边的漂移 程文超　　夏建白 (半导体超晶格国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) 郑文硕　黄醒良　金载元　林三镐　瑞恩庆　李亨宰 (半导体物理研究中心　全北国立大学　全州　561756　韩国) 摘要　 本文报告了在 掺杂硅 结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱 n i p i 动蓝移, 它不同于在 GaA s 和 GeSi 超晶格中观察到的结果. 这个新现象能够被载流子注入引 起有效带隙的展宽所解释. 基于有效质量近似, 计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的 变化, 理论结果证实了实验结果的正确性. : 7125 , 7340 , 7820 PACC T L 众所周知, 当一个垂直于表面电场加到 和 不掺杂超晶格时, 由 GaA S A lGaA s GeSi Si 于能带倾斜产生了 Stark 局域化和跃迁能量的漂移, 平带时的单一能量的跃迁变成一系列 不同能量的跃迁, 而由于电子和空穴波函数重叠的多少不同, 主要表现为两个不同能量的 [ 1 ] 跃迁 . 一个是近带边附近跃迁能量的降低, 形成场驱动红移. 另一个是在高能边跃迁能量 的上升, 形成场驱动蓝移. 通常, 使用光致发光(PL ) 技术观测场驱动蓝移[ 2, 3 ] , 使用光吸收 ( ) [ 4 ] ( ) [ 1 ] OA 谱 和光电流 PC 谱 观测近吸收边的场驱动红移. 对掺杂超晶格, 由于形成能带的 物理机制不同于 GaA s 和 GeSi 超晶格, 电场对光电特性的影响也将不同. 当一层杂质原子嵌在一个半导体中, 将形成一个V 型二维自洽势, 电子和空穴位于实 空间的不同区域, 形成一个二类超晶格. 有外电场存在时, 势阱中载流子浓度能够被电场调 制, 引起量子阱有效带隙的改变, 这在 结构中尤为明显, 因此人们期望在这个结构中 n i p i 得到一些不同于组分超晶格的光电特性. 本文报告了在 掺杂 结构硅样品中使用光电流技术观测到的近带边场驱动蓝 n i p i 移, 这是一个与以前在方势阱中观测到结果不同的新现象. 基于有效质量近似理论, 对有效 带隙随二维自由载流子浓度的变化进行了自洽计算, 理论计算结果证实了实验结果的正确 性. 程文超　男, 1940 年出生, 副研究员, 现从事半导体低维物理特性研究 夏建白　男, 1940 年出生, 研究员, 现从事半导体低维物理理论研究 收到,定稿 498 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报