化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展.pdfVIP

2012年2月 第 1期 金刚石与磨料磨具工程 Feb．2012 第32卷 总第 187期 Diamond AbrasivesEngineering No．1 Vo1．32 Seria1．187 化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展 邹微波， 魏 昕， 杨向东， 谢小柱， 方照蕊 (广东工业大学机 电工程学院，广州 510006) 摘要 化学机械抛光(CMP)已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密h-Y-技术。抛光液在 CMP过程 中发挥着重要作用。介绍了CMP过程中抛光液的作用的研究进展，综合归纳了抛光液中各组分的作用， 为抛光液的研制和优化原则的制定提供 了参考依据 。 关键词 化学机械抛光 (CMP)；抛光液；材料去除率；表面质量 中图分类号 TG73 文献标志码 A 文章编号：1006—852X(2012)01—0053-04 Researchdevelopmentoftheeffectsofpolishingslurryon chemical mechanicalpolishingprocess ZOUWei-bo， W EIXin， YANG Xiang-dong， XIEXiao—zhu， FANG Zhao。rui (FacultyofElectromechanicalEngineering，GuangdongUniversityofTechnology，Guangzhou510006，China) Abstract Chemicalmechanicalpolishing (CMP)hasbeengenerallyacknowledgedasanano-scale globalplanarizationultraprecisionmachiningtechnology．Polishingslurryplaysanimportantroleinthe chemicalmechanicalpolishing． The authors introduce the research developmentof the effects of polishingslurryon CMP processes，summarizeandanalyzetheactionsofpolishingslurry ingredients． Thisintroduction and summarization willprovide a reference for the developmentand optimization principlesofpolishingslurry． Keywords chemicalmechanicalpolishing(CMP)；polishingslurry；materialremovalrate；surfacequality 化学机械抛光 (Chemicalmechanicalpolishing，简 微量去除。此外，抛光过程抛光液还通过在抛光区域 称 CMP)，又称化学机械平坦化 (Chemicalmechanical 形成流体膜 以及带动磨粒在抛光区运动影响抛光过 planarization)，是提供超大规模集成电路 (ULSI)制造 程。所以，抛光液在 CMP过程中影响着化学作用与磨 过程 中表面平坦化的一种新技术，于 1965年首次 由美 粒机械作用程度的比例，影响着抛光区域的温度 ，在很 国的Monsanto提出，最初是用于获取高质量的玻璃表 大程度上决定着 CMP能获得的抛光表面质量和抛光 面…。CMP技术将磨粒的机械研磨作用与氧化剂的 效率。 化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面 CMP抛光液一般 由去离子水、磨料、pH值调节 加工，满足集成电路特征尺寸在0．35txm以下的全局