（BN）2C4纳米管的电子态和电学性质.pdfVIP

第 16卷 第 2期 集美大学学报 (自然科学版) Vo1．16 No．2 2011年 3月 JournalofJimeiUniversity(NaturalScience) Mar．2011 [文章编号]1007—7405(2011)02—0149一O5 (BN)2C4纳米管的电子态和电学性质 严 明 (福州职业技术学院技术工程系，福建 福州 350108) [摘要]采用ROHF对 (BN)C 纳米管进行构型全优化，并用密度泛函理论的DFT／ROB3LYP方法计 算 了(BN)C纳米管的电子态分布．根据其前沿分子轨道能量数据、电子态分布曲线和成键电子云密度分 布图形 ，研究讨论了掺人硼氮对碳纳米管导电性的影响，并与BNC 纳米管作了比较．结果表明：(BN)C 纳米管具有掺杂窄带半导体的导电性． 【关键词](BN)C4纳米管；电子态；态密度 ；电子云密度 ；ROB3LYP [中图分类号]O48 [文献标志码]A ElectronicStateandPropertiesof(BN)2C4Nanotubes YAN Ming (TechnicalEngineeringDepartment，FuzhouVocationTechnicalInstitute，Fuzhou350108，China) Abstract：Geometriesof(BN)2C4nanotubeswereoptimizedbyusingtheROHFmethods，andelectron— icstatedistributingof(BN)2C4nanotubeswascalculatedbyROB3LYPmehtodsofdensityfunctionaltheory (DFT)．Theconductivitiesofhtecarbonnanotubeswhichhadbeendopedboron—nitridewerediscussedand studiedfromfrontmoleculeorbitenergy，electrondensityofstates(DOS)andthebondingelecrtoncloud densitycontourgraphic，andwerecomparedwiht BNC2nanotubes．Resultsshowedthat(BN)2C4NTshad hteconductivityofdopednarrow bondsemiconductor． Keywords：(BN)2C4nanotubes；electronicstate；statesdensity；electronclouddensity；ROB3LYP 0 引言 对碳纳米管 (CNTs)¨-2]、硼氮纳米管 (BNNTs) 和硼氮 一碳纳米管 一 的研究发现，硼氮 一碳 纳米管在保持石墨状管壁的前提下，其 电子结构特性与原来纯碳管差异甚大，但这种差异仅与组成有 关，而与管径无关，其能隙宽度可通过B、C、N在管中的比例而得到调节，即可人为调控硼氮 一碳纳 米管的半导体I生能．本文在BCN纳米管 I9研究基础上，进一步研究组份不同硼氮碳纳米管的电学性 能，并采用 abinitio从头计算的方法和DFT密度泛函理论方法，对化学配比为 (BN)C 、构型为单壁 Zigzag型 (10，0)的硼氮 一碳纳米管(简称 (BN)CNTs)进行研究，侧重从电子态分布确定其电学性质． 1 计算模型和方法 采用Zigzag型纳米管构型建立几何模型，并确定各原子的直角坐标，其结构模型与文献 [8—9] [收稿 日期]2009—12—22 [修回日期]2010—03—23 [基金项 目】福建省 自然科学基金资助项 目 (D0610010)；福建省教育厅 B类科技项 目 (JB09270) [作者简介]严明 (1971一)，男，副教授，从事 电子物理方向研究． · l50 · 集美大学学报 (自然科学版)