3d-%271-%2f3d-%279-离子在斜方晶位中自旋哈密顿参量理论研究.pdf

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pq川夫学iijif论文 3d1/3d9离子在斜方晶位中自旋 哈密顿参量的理论研究 凝聚态物理专业 研究生 周青 指导教师郑文琛教授 自旋哈密顿理论是研究掺过渡和稀土金属离子在晶体中顺磁性质,进而了 解其微观结构等的有力工具。实验上,自旋哈密顿参量可以通过电子顺磁共振 (EPR)谱测量,由此可得到顺磁离子自旋能级分裂的信息,这些信息又与顺 磁离子所处的局部环境有关,因此为了解晶体掺杂后的缺陷结构信息提供了一 种可行的方法;微观上自旋哈密顿参量由微观的自旋哈密顿理论进行计算和研 究,自旋哈密顿理论的一种重要方法就是微扰方法。 磁共振(EPR)谱的研究工作开展的还不够深入,这主要表现在,大部分微扰 方法只考虑了中心离子旋一轨耦合系数对EPR(g因子和超精细结构常数A因 价性较强或配体的旋一轨祸合系数可与中心命属离子相比较时,我们还应考虑 配体旋一轨耦合系数对EPR参量的贡献,从而建立起自旋哈密顿理论的双旋一 轨耦合参量模型。 本文就采用了一种半经验的分子轨道方法,对3do(n弘、V4+等)离子在八面 导了建立在双旋一轨耦合参量模型上的高阶微扰公式。这些公式未见自≯人报道。 应用推导的公式,我们研究了八面体斜方晶场中3do离子或者四面体斜方场 中3d9离子在下述材料的EPR参量,在此基础上得到了杂质中的一些缺陷结构 的信息,具体的工作有: 四川人学颂I论文 位置,通过计算的g因子gx,曲和&,满意地解释了这些离子系统的g 因子.并可以获得V“离子或Tip离子中心缺陷结构的有用信息。 方向二价阳离子VM空位,并形成局部斜方畸变。通过计算这些币n离子 中心的EPR参量计算,可以获得斜方n3+离子中心的缺陷结构有用的信 息。 结构信息。 关键词:晶体场理论 电子顺磁共振(EPR) 自旋哈密顿理论 双旋一轨 参量模型 矿+离子 n3+离子 阴川大学碗I论文 Theoretical studiesofthe Hamiltonian spin for 3d1/3d’ionsin rhombic crystals Matter Major:Condensed Physics M.S.Student:Zhou Wen-Chen Qing Director:Prof.Zheng isa toolto the Spin-HamiltonianTheorypowerfulstudyparamagnetic properties oftransitionmetalionsandrareearthiOIlSin thentounderstandfurther crystals.and thelocal structuresofthese centersin pa

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