蚀刻设备的现状与发展趋势.pdfVIP

维普资讯 - 电 子 工 业 毫 用 设 备 · 趋势与展望? 蚀刻设备的现状与发展趋势 童 志义 f中国电子科技集 团公司第四十五研究所，北京东燕郊 101601) 摘 要 ：概述 了蚀刻技术与设备的现状 ，针对 32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重 图形 蚀刻 、高k／金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术 (TSV)方面挑战， 介绍 了蚀刻设备的发展趋势。 关键词：蚀刻设备；32nln节点；双重图形蚀刻；高 l(／金属栅材料 ；金属硬掩膜 ；通孔硅技术 中图分类号 ：TN305．7 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004-4507(2008)06-0003-07 TheExistingStateandDevelopmentTrend ofEtcher TONG Zhi-yi (The45thInstituteofCETC，BeijingEastYanjiao101601，China) Abstract：Thepresentsituationofetchtechniqueandequipmentissummarized，againstthechallenge toetcherfor32nm techn ologynodedeviceprocesswith dualpattern etching，highk／metalgate material，metalhardmaskand3D—IC packageTSV techniquewhich enterintopost-MooreEra，the developmenttrendofetchequipmentisinrtoducedinthispaper． Keywords：EtchEquipment；32 nm Technoloyg Node；DualPattern Etching；High k／MetalGate Material；MetalHardMask；TSV 1 引言 被广泛用于半导体制造 。湿法工艺的优势主要在于 相对较低 的成本和高的蚀刻选择性(即两种材料的 在集成 电路的制造过程 中，蚀刻就是利用化学 蚀刻速率之 比，比如光刻胶掩膜和被蚀刻材料的蚀 或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的 刻速率之 比)。然而，由于无法控制蚀刻的方 向性， 材料的过程 。从工艺上区分，蚀刻可 以分为湿法蚀 所以湿法蚀刻一般得到各 向同性的轮廓 。当然，这 刻和干法蚀刻。前者的主要特点是各向同性蚀刻； 可能正是某些应用所需要的，而对另一些需要将材 后者是利用等离子体来进行各向异性蚀刻，可 以严 料完全从晶圆上去除的应用来说也不存在问题。但 格控制纵 向和横向蚀刻。 是，对于那些需要各向异性蚀刻(比如垂直的侧墙) 根据应用场合 的不同，湿法和干法蚀刻工艺都 或特殊轮廓的应用而言，干法蚀刻是更好的选择 收稿 日期：2008．05．20 维普资讯 趋势与展望 · 电 子 工 业 毫 用 设 备 lid · (图 1)。 刻等 。 目前，金属铝作为连线材