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温度梯度对平面金壁再发射能流平衡性的影响
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往贫性约求聚蹙(』(FJ一睦和文验研究c,埘辐射输运的研究址兑中+n重要m:分辐虻舟填充r
低紫度介质的输世茁巾传输的同时,全烧蚀|I】罚原r件数材料(例如金)制成的输运错‘#,管难艘辐射
加热后会将^部分的辐射8E通过再发射的方A反照刈输运管内。凼此,研究骨擘的冉发射{r为对于找”』
的输运管内辐射输运过程的理论研究具有重要意义。
在研究中.为r突m影响管壁再发射能流平衡性的物理因素,简化模型便r分析,我们采用丁圈l
J发现随着
巾所下的一维平卣横掣来哥}究物理问题。通过一维辐射流体力学程序RD~tG的数值模拟.我W
时司的推移,金壁内部的电子温度梯度越来越小.金壁的{耳发射能流谱分布也越来越接近以金擘表面温
度表征的平衡谱,如罔2。
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laJ (b)
罔1 模型结构不意图 图2不同时刻金壁再发射能流谱分布
从物理L来理解,金肇内部的温度梯度会导致金壁表向的再发射能流偏离平榛『谱。对十一团温度均
i;等。佩足假如物质中存
q的物质来说.若物质为光性厚的,则其在面的发射e}流定为平衡的P】anck
在温度梯度.f“丁物质的吸收系数随频率的变化很人.则出射能流谱定小会是平衡谱。若我们定义金
壁表面再拉射能流的不平衡成为
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其cf|f为金壁丧咖再发射能流.f”为咀金壁表面温度表征的平衡Pl帅tk诺。利川l’州f『ls’税分公
式.通过些简∞推导,找们得到r金肇再发射能流小平衡度与尘蛙内部温度梯应的天系
叩=詈万丢V即(re纠V£ (2)
其中,p是Planck平均的金辐射自由程,乃。是金壁表面温度,A是一个2~5之间的常数。根据J.H.
lp=tot’P自 (3)
口(t,p)-1.oZn9P砘1(/am/106K) (4)
接下来我们利用一维辐射流体力学程序RDMG来验证我们前面的理论分析。首先我们考察一段密度
均匀温度存在空间梯度的金等离子体的再发射情况。从图3中我们可以看到,金壁再发射能流的不平衡
度正比于金壁内部的温度梯度,与公式(2)中描述的关系相符。接着,我们利用RDMG程序计算了前面所
述的一维模型中金壁再发射能流不平衡度随时间的变化情况,如图4所示。从图4中我们可以看到,当
口(互,P)取(4)式中的形式时,利用公式(2)计算得到的金壁再发射能流不平衡度与直接的数值计算结果
符合得相当好。
O.1
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0.0t
1E-3 0.们 O 5 伯 15 ∞ 为 ∞
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gradient nme(o.1ns)
图3不同温度梯度下金壁再发射能流 图4一维平面模型金壁再发射能流
不平衡度及拟合曲线 不平衡度的理论及数值结果的对比
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