CdS电子结构和光学性质的研究.pdfVIP

第24卷第 3期 徐 州 工 程 学 院 学 报 (自然 科 学 版 ) 2009年 9月 Vol_24No．3 JournalofXuzhou InstituteofTechnology (NaturalSciencesEdition) SEP．2OO9 CdS电子结构和光学性质的研究 李富强，殷春浩 ，徐 婧 ，行 军 (中国矿业大学 理 学院，江苏 徐州 22l008) 摘 要：理论计算CdS晶格常数为0．5832nm 与实验值 0．5818nm 比较，误差小于 1 ．理 论预测CdS是一种直接宽禁带半导体材料，导带底和价带顶都位于布里渊区中心 G点处 ，直接带 隙为 1．25eV，比实验值 2．42eV小，这是 由于密度泛 函理论框架决定的．CdS的下价带主要 由Cd 的4d电子贡献，上价带主要 由S的3p电子形成，CdS的导带主要来源 于Cd的5s电子和 S的3p 电子的贡献．CdS晶体 中Cd原子失去 电子 ，为 电子 的给 予体 ，S原子得 到 电子 ，是 电子受主 ，且 Cd--S键是共价键．Cd—S距离为 2．52533A，与实验值 0．253nm 相 比更加精确．其介 电函数虚 部与吸收光谱 以及介电函数实部与折射率的峰值位置十分接近，说 明它们之间存在内在联系，都与 电子态密度分布直接相关． 关键词：CdS；第一性原理；电子结构 ；光学性质 中图分类号 ：O561 文献标志码 ：A 文章编号：1674—358X(2009)03—0076-06 Ⅱ一Ⅵ族半导体材料 CdS因具有优 良的光电性能 ，一直受到人们 的极大关注．CdS薄膜在传感器 、太阳 能电池、光探测器、激光材料 、光波导器件和非线性集成光学器件等领域已有较多的应用．目前 ，尽管人们对 CdS进行 了大量的实验和理论研究工作，但是对于其确切的电学性质、光学性质的认识 ，仍存在着分歧．因 此 ，深入研究 CdS的晶体结构 、电子结构及光学性质是其压电、光电等特性不可缺少的理论基础，而且 ，对于 CdS材料在高灵敏度光传感器、太 阳能电池及发光二极管等的实验研究及潜在应用同样具有重要意义． 在基于密度泛函理论的第一性原理的计算方法中赝势平面波方法，是 目前计算机模拟实验中先进的、重 要的赝势能带方法之一．本文对 CdS体系结构进行 了优化 ，并运用基于第一性原理的赝势平面波方法对几 何结构、能带结构 、态密度和吸收系数等进行了计算，与实验值符合较好． 1 理论模型 CdS主要以闪锌矿结构存在于 自然界中，故本文只研究闪锌矿结构的CdS．闪锌矿型 (立方晶型)结构的 空间群为F43m，对称性为 ，Cd离子和 s离子各 自按面心立方密堆排列 ，二者沿空间对角线方向相互移动 1／4体对角线长套构而成 ，互为四面体的体心，各 自只占有其 1／2的体心，Cd和S的配位数都是 4，配位 比为 4：4，可以计算出每个晶胞含有4个s和4个cd，单位晶胞中，质点的坐标为Cd ：000，0÷寺，丢。寺，寺 1O S一：1 1 1 1 3 3 3 1 3 3 3 1 ， ， ， ， ， 其晶格常数理论值为 O．5818nm，a= 一)，一90。． _^ 2 计算方法 本文所有的计算工作都是 由MaterialsStudio4．1软件 中的CASTEP软件包完成的．CASTEP软件是 一 个基于密度泛函方法的从头算量子力学程序 ，利用总能量平面波赝势方法 ，将离子势用赝势替代 ，电子波 函数通过平面波基组展开，电子一电子相互作用的交换和相关势由局域密度近似或广义梯度近似进行校正， 它是 目前较为准确的电子结构计算的理论方法． 在密度泛函理论中单电子运动的薛定谔方程可以表示为 (原子单位)： 收稿 Et期：2009—03—17 基金项 目：教育部留学回国人员实验室建设及科研经费资助项 目(2003．18) 作者简介：李富强(1986一)，男，硕士研 究生，主要从事凝聚态物理研 究． · 76 · 李富强，等 ：CdS电子结构和光学性质的研究 [一 V2