论带缓冲器的CMOS与非门电路.pdfVIP

维普资讯 第27卷第3期 江西理工大学学报 v。L27,NQ3 2006年 6月 JOURNALOFJIANGXIUNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHNOLOGY Jun．2006 文章编号 ：1007—1229(2006)03—0017—03 论带缓冲器的CMOS与非门电路 康裕荣 ，‘康向东 (江西理工大学 a．机电工程学院； b．环境与建筑工程学院，江西 赣州 341000) 摘 要：论述 了CMOS与非门存在的三个缺点：输 出电阻 见受输入端状态的影响，输出的高、低 电平受输入端数 目的影响，输入端工作状态不同时对电压传输特性的影响 ．讲清楚了带缓冲器 的CMOS与非门是怎样克服、解决这三个缺点的，克服、解决这三个缺点是输出端的缓冲器起的 作用，每个输入端的缓冲器是用于得到所需与非门逻辑功能的 ． 关键词 ：与非门；或非 门；缓冲器 中图分类号 ：TP212 文献标识码 ：A TheDiscussionontheCM OS’NAND GatewithaBufferAttached KANG Yu—Rong ．‘ KANG Xiang—dong (JiangxiUniversityofScienceandTechnology＆ FacultyofMechanicalandElectl~nicEngineering， b．FacultyofEnvil~nmental andArchitecturalEngineering，Ganzhou341000，China) Abstract：ThearticlestatesthreedisadvantagesexistingintheCMOS’NAND gate，theoutputresistanceRois influencedbytheconditionoftheinputterminal；theoutputhighorlow~equencyisinfl uencedbythequantities oftheinputtemr inal；theattributeofvoltagetransmitisinfl uencedbytheworkingconditionsoftheinputter- mina1．Th earticlepresentsclearlyhow CMOS’NAND gatedealswiththesethreedisadvnatages．Thebufferof theoutputtemr inalfunctionsasthekeytoovercome thesethreedisadvantages，andthebufferofeach input temr inalfunctionsasacomponentthatiSusedtogetlogicalconnectionswithNAND gate． Kevwords：NAND gate； NOR gate；buffer 1 CMOS与非门电路 … 图1是CMOS与非门的基本结构形成，它由两个并联的P沟道增强型MOS管 、乃和两个串联的N 沟道增强型MOS管 、 组成 ． 假定：每个MOS管的导通内阻均为 ‰w，截止 内阻 R ∞． 设：N沟道 MOS管的开启 电压为 Vcs(th)N．P沟道MOS管的开启 电压为 Vcs(th)P，Vcs(th)P是一个负数 ． 设：输入高电平 = 。 ，用 1态表示 ．输入低电平 = OV，用 0态表示 ． A 1．1 工作原理 (1)当A=1、B=0时， 截止、乃导通、 截止，故 Y：1(输出高