大栅宽SiC+MESFET器件的制造和的研究.pdfVIP

2008’全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 大栅宽SiCMESFET器件的制造与研究 陈刚李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松蒋幼泉 (南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家级重点实验室，210016) 摘要t本论文针对S波段1衄、3，6咖、9m、20衄多种大栅宽4H--SiCMESFET功率管的版图设计、制作工艺 和微波性能进行研究及比较．采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，制作出单胞总栅宽1衄、3．6哪、 9m、20m的芯片，经过装架、压丝，通过自主搭建的脉冲微波测试系统，在s波段2GHz频率脉冲测试条件 下得到各个测试结果。 关键词：4H碳化硅，金属半导体场效应管，微波，宽禁带半导体 1引言 SiC由于其特有的材料特性，在高温大功率应用方面有着很大的潜力n矗1。随着对于更高 功率、更高效率和更宽带宽的要求日益增加，近年来国内对于第三代半导体材料、器件的研 究趋势日益加大。而作为第三代半导体中可靠性好的SiCMESFET功率器件在宽带宽、高功率 应用中的各种优势逐步显现，国内在SiCMESFET大栅宽高功率器件的各项研究也进展迅速。 MESFET功率管进行了版图设计；然后采用工艺技术不断改进的半绝缘衬底的4H—siC自主外 延片进行SiC器件制造；再根据各种专项试验结果进行工艺流程设计，最终制造出了多种大 栅宽的4H--SICI忸SFET功率管器件：结合Si、GaAs工艺的装架、压丝等后道工艺的经验， 把单胞管芯进行了封装。在自主研制的高电压大功率脉冲微波测试系统上进行测试，最终成 功测试出S波段2GHz脉冲微波功率下，4H—SiCI匝SFET器件脉冲功率输出分别为1咖栅宽 在最大功率时所有管子的增益也都大于8dB。 2实验 我们实验使用半绝缘衬底上的国产4}I—SiC三层外延材料，p一缓冲层厚度0．5umⅡ1，掺杂 掺杂浓度为2×1019cm．3。 SiC 用333um栅宽的单根栅条，栅长为0．6um，栅源阃距和栅漏间距分别为0．6um和1．6强。 制造大栅宽SiCMESFET的工艺途径基本相同，主要区别是随着器件面积的增大和栅条的 增多，工艺难度越来越大。工艺步骤分别为：台面生成、电子束蒸发Ni、剥离生成源漏欧姆 接触区、快速退火、干法刻蚀挖槽、蒸发多层金属形成肖特基接触、金属化、电镀，反刻、 成良好欧姆接触。台面形成和挖槽工艺都采用ICP干法刻蚀。光刻使用的是50 step光刻机， 精度能达到0．5um。采用选择电镀的方法将源漏条及压焊点金层加厚到3um甚至更厚。同时形 成了互连各源指、漏指的空气桥，从而减小压焊金丝时接触电阻对微波功率测试的影响。背 2008’全国第十二届微被集成电路与移动通信学术会议 面电镀5um以上以保证装架进管壳后良好的散热。划片后，挑出直流性能良好的管芯进行装 架，最终封装在管壳中的SiC帕SFET器件制各完成，可以进行各种直流、微波、高温等测试。 由于管芯太小尺寸不同，装架所用的管壳尺寸也不相同，Imm管芯用的是imm×z姗铜管壳， 36哪、9m管芯用的是2mmX4椰钨铜管壳，20ram管芯用的是4×5唧钨铜管壳。 3结果和讨论 自主外延生长的4H--SiC外延片用原子力显微镜进行表面测试后结果如图1所示，平整 度小于02rim．说明了SiC外延层表面平整度根好。制造的SiC k扼SFET大栅宽管芯的纵向剖 面都采用如图2所示结构，可以看到我们制造的SiC姬SFET管芯采用了r型栅，栅下衬垫的 介质采用了PECVD生长的si,N，。 SiC 图ISiC外延材料表面平整度O．2rim 圈2 I肥SFET管芯剖面图 我们制造出来的管芯如图3、4、5、6所示，可以看到管芯总栅宽尺寸从1蛐增大到3．6皿， 成倍增大．工艺难度大幅增加，成品率也产生较大变化，如果不能组好的控制和简化工艺流 程，管芯无法顺利制作并且保证良好的直流和微波特性。通过针对光刻、干法刻蚀、金属化 等工艺的深入研究试验，我们最终得到了保证一定成品率的工艺流程，制造出总栅宽为Imm、 36mm、9ra