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第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电嚣件掌术。分议
带有复合式集电区的超高速InP／lnGaAsDHBT
程伟，金智，苏永波，刘新宇
(巾科院微电子研究所，北京100029)
DHBT
摘要：为了消除InP／InGaAsBC之间的导带势垒尖峰，抑制电流阻挡效应。我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构
的InP
器件。这种高速，高电流密度和高击穿电压的lnPDHBT器件，非常适合于超高速数字电路的应用。
关键词： InP／lnGaAs，DHBT。复合式集电区，电流阻挡效应
中图分类号：TN322+．8 文献标识码：2530B；2560B：2560J文章编号
UI traHi I nP／InGaAsDHBTWi th i teCo|Iector
ghSpeed Compos
Wei Liu
Cheng，ZhiJin，YongboSu，Xinyu
(InstituteofMicroelectronics,ChineseAcademyofSciences，Beijing100029)
the
Abstract：Toeliminateconductionband atthebase-collectorinterfaceand thecurrent lmWInGaAs
spike suppress blockingeffect，an
withInGaAsP DHBT
DHBT collectorhavebeen andfabricatedaconventionalmesastructure．Thewith
composite designed using
a at
ever
1．6x15]．tm2emittarexhibits242GHzftahighJcof2．1埘～uIll2whichistoourknowledgethehighestfreportedforamesalap
inChina．Thebreakdownin
DHBT common-emitterismorethan5V．The lnP／lnGaAsDHBTswith
voltage configuration highspeed
current are suitableforultra circuits．
high densityvery highspeeddigital
Effect
Keywords：InP／lnGaAs，DHBT,CompositeCollector,CurrentBlocking
EEACC：2530B：2560B：2560J
(Space层)与N+层，采用超晶格缓变结构，
1介绍
II型材料等等。在UCSB
或者直接使用Type
InP基HBT凭借其材料上的固有优势，在所使用的超晶格结构【4】中，电子是以隧穿的
超高速数模混合电路和毫米波功率放大器电 形式穿过超品格，从而降低了电子的速率，
路中得到了广泛应用【I2J。虽然In_P基SHBT
对器件的高频性能有一定影响，另外这种超
材料结构简单，易于设计和制作，但是由于 晶格结构由于材料结构较为复杂，因此增加
其集电区采用
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