电化学沉积p-型Bj-Sb-Te-Se薄膜温差电材料及其相关性能的研究.pdfVIP

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2015-08-31 发布于安徽
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电化学沉积p-型Bj-Sb-Te-Se薄膜温差电材料及其相关性能的研究.pdf

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I艺技术研究 bTeSe 电化学沉积P一型Bi…S 薄膜温差电材料及相关性能研究朱艳兵。王为+ (天津大学化工学院应用化学系．天浔t300072) of Bi— 【摘要J采用控电位电沉积的方法制备了Bi—Sb-ThermoelectricalpropertiesP—type Te—Se薄膜温差电材料。通过XRD、ESEM、EDS等方法对电沉积薄膜材料的结构、形貌和组成进行了分 electrodeposition 析，并测试了在不同电位下制备的Bi-Sb-Te-Se薄 Yan—bingZhu，WeiWang* 膜的塞贝克系数及电阻率。结果表明，在含有B一、 Chemical and TeH、Sbnl和Se¨的溶液中，采用控电位沉积模式，可 Engineering 311111)72，China) 以实现铋、锑、碲、硒四元共沉积，制备出Bi-Sb-University，Tianjin AbStract：P—te Bi—Sb—Te—Se Te-Se薄膜温差电材料。沉积电位对电沉积薄膜中 YP C fiIms were 各元素的含量有显著影响。组成为thermoelectri bY PrePared structures，趴o．37Sbl．62Te2瑚Se019的电沉积薄膜的性能最佳，在氮electrodepositiontechnology．The and ofthe morphologies deposited 气环境下经2500C、2h退火处理后的塞贝克系数为 compositions werecharacterized and 128 f．ilms byXRD，ESEMEDS， ILV／K，功率因子为O．48mW·K～·m-l。 respectively．Seebeck 【关键词】电化学沉积；温差电薄膜；B1-Sb- thefilmswerealsoevaluated． Te—Se；性能 resistivities(P)of 接第120页．Oniciu．etal．Influenceofmetall{c onzinc SOC．197l。l18：l538-1540． impurities