硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备.pdfVIP

U 第十七J自全田半导体物4学术会议论文集 中国·长存2009年8月16日·20 硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备 陈少武’，徐学俊，屠晓兜 中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点联合实骑宦，北京100083 acc11 Entail；swchen@semi 引言： 硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光千器件．PIN载流于注入璋!电 光开关具有调制散牢高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOl材料E设计制备的搬纳 波导MZI结构载流子注入高速电光开关．开关响应时问为几纳秒，消光比优于28dB。 1器件设计 光开差j乏用2x2Mach-Zehnder干涉仪结构， 干涉仪的分束／合束器采用MMI结构，以获得更大—轲■霹i_哩 的制备工艺容差，波导结构为亚微米尺度的SOl 脊形波导，以便于在波导中集成PIN载流子注入结 构。 光开关的电学结构采用PIN载流子注入结构， 图I光开关PIN戴流于注^结构 通过注入自由载流了到波导核心K，即可引起材料 折射毕的改变(等离子色散效应)。PIN载流子注入结构相比其它结构(例如MOS电容结构． 反偏PN结等)具有调制效率高、制备T艺简单等优点。囤I是此光开关电调制区的横截面 示意图。 2器件制备工艺 采用普通CMOS工艺制备该器件，具体是用EBL电子束曝光工艺形成光开关掩模版图， 掩模形成后再通过ICP．RIE下法刻蚀出波导结构．再喜刻出离子注^窗口，经离予注入、退 火激活、蒸镀金屈欧姆接触电极后形成PIN载流子注入结构。在EBL工艺中需要妥善解决 屯f求曝光的邻近效应才能得到低畸变的掩模豳形，ICP-RIE刻蚀条件的选取也至关重要． 3．器件性能测试 dB，开关功耗为 光开关的静态调制特性如图2所不，其消光比为28～40dB，申扰为之8 5roW。动忐测试时高频探针将驱动电信号加载到电光开关的驱动电极上，调制后的光信号经 一个12GHz的光电探测嚣后输入到20GHz取样示波器中，开荒信号的上升、下降沿波形如 图2所示，可见其响应时间仪为几纳秒。用波导信号源和频谱仪可测得该光开关的小信号调 制3dB带宽为100MHz左右。分析认为是PIN电极和高额探针阻抗小匹配造成3dB带宽降 低。 E丽葫 L1醚 o¨‘opm 州2光*关静态*制特性 嘲3动态响应(蔗：上升沿右：F降沿 一