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低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计.pdf
第33卷第2期 南京邮电大学学报(自然科学版) V01．33No．2
of ofPostsand
Journal Telecommunications(NaturalScience) Apr．2013
2013年4月 N肌jingUniversity
低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计
张长春，吕超群，郭宇锋，方玉明，陈德媛，李 卫
(南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心，江苏南京210023)
0．18
摘要：基于SMIC CMOS工艺，设计了一种适用于数模或模数转换等模数混合电路的低温度系数、高电源
Ixm
抑制比的带隙基准电压源。针对传统带隙基准源工作电压的限制，设计采用电流模结构使之可工作于低电源电
压，且输出基准电压可调；采用共源共栅结构(cascode)作电流源，提高电路的电源抑制比(PSRR)；采用了具有高增
mV，温度
益高输出摆幅的常见的两级运放。Cadence仿真结果表明：在1．8V电源电压下，输出基准电压约为534
在一25—100oC范围内变化时，温度系数为4．8 dB，在1．6～2．0V电源电压变化
ppm／。C，低频电源抑制比为一84
范围内，电压调整率为0．15mV／V。
关键词：带隙基准；温度系数；电源抑制比；运算放大器
中图分类号：TN402 文献标志码：A 文章编号：1673-5439(2013)02-0117-05
ofaLow CoefficientReference
Design TemperatureBandgap
with PSRR
High
ZHANG
Chang-chun，LUChao-qun，GUOYu-feng，
FANG Wei
De-yuan，LI
Yu-ming，CHEN
andRF
210023 ，
I(Power ，
gnijnaNceleorci，M
onSMIC’S0．18 CMOS circuitwithlow coefficient
Abstract：Based Ixm process，abandgap temperature
in suchasDACorADC．Inview
and PSRRis circuitis circuits
high proposed．Theappliedmixed-signal
inthe thecurrent
ofthe limitationconventional
reference，theadopts
ope
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