后续烧结工艺对激光微细熔覆制备厚膜电阻性能的影响.pdfVIP

第33卷第4期 中 国 激 光 V01．33，No．4 2006年4月 CHINESEJOURNALOFLASERS April，2006 文章编号：0258—7025(2006)04一0570一07 后续烧结工艺对激光微细熔覆制备 厚膜电阻性能的影响 李慧玲，曾晓雁。 (武汉光电国家实验室激光部，华中科技大学激光加工国家工程研究中心，湖北武汉430074) 摘要随着电子产品逐渐向微型化、多功能化和高密化的方向发展，传统的厚膜技术由于存在着大量的局限性，越 来越不能满足这种快速发展的需求，因此，采用激光微细熔覆柔性直接制造技术在Al。0。基板上制备了高精度、高 质量的厚膜电阻。然而，由于激光和物质的相互作用是一个急热急冷的过程，与传统的烧结工艺对厚膜电阻的作 用不同，造成最终电阻的组织性能不同，因此，着重研究了激光加工工艺和后续烧结工艺对厚膜电阻的组织性能的 影响，并对这种影响的主要机理进行了分析。结果表明，激光微细熔覆柔性直接制造的厚膜电阻比采用后续烧结 工艺制备的电阻性能可靠、稳定，而且工艺简单灵活，效率高，不需要后续烧结过程，节省了能源，降低了成本。 关键词激光技术；厚膜电阻；激光微细熔覆；柔性直写 665 A 中图分类号TN605；TG 文献标识码 Effectof Sintered on ofThicl【-Film SubsequentlyProcessingProperties Resistor FabricatedLaser Directly by MicrO—Cladding LI H ui—ling，ZENGXiao—yan (W“^口咒N口￡io行口z L口ser L口60r口￡Dryo，0哆￡oeZPc￡ro以ifs，●Vntio咒nZE，zgi咒e8ri押gRPs8口rc^Ce咒￡Pr，-0rProcessi咒g， 430074，C_}li咒口) Hnz_}lo咒gU矗i口ersityo，SciP咒cPn，ld。丁-c_}l，zoZogy，V矿“^口咒，Hz曲8i AbstractWiththe o{electronictomicro_miniaturization，multifunctionand development product highdensity，the conventionalcouldnotfulfillthe needforitsinherentlimits．Inthis thelaser techn0109y rapidlygrowing paper， isusedtofabricatethick—filmresistorwith and on micro—claddingtechnique highprecision，reliabilityqualityA1203 substrate．However，structureand ofthick-filmresistorfabricatedthis aredifferentfrom properties