半导体测试与表征技术基础.doc

半导体测试与表征技术基础 第一章 概述 （编写人 陆晓东） 第一节 半导体测试与表征技术概述 主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用 第二节 半导体测试与表征技术分类及特点 主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。 第三节 半导体测试与表征技术的发展趋势 主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。 第二章 半导体工艺质量测试技术 第一节 杂质浓度分布测试技术 （编写人：吕航） 主要介绍探针法?探针法测试电阻率的基本原理?四探针法的测试设备样品制备及测试过程注意事项四探针测试的应用和实例扩展电阻测试系统扩展电阻测试的基本原理扩展电阻的测试原理扩展电阻测试系统扩展电阻测试的样品扩展电阻法样品的磨角扩展电阻法样品的制备扩展电阻测试的影响因素扩展电阻法测量过程中应注意的问题 扩展电阻法测量浅结器件结深和杂质分布时应注意的问题扩展电阻测试的应用和实例少数载流子寿命测试直流光电导衰退法高频光电导衰退法?非平衡载流子的产生非平衡载流子寿命少数载流子寿命测试的基本原理和技术少数载流子寿命的测试表面光电压法少子脉冲漂移法霍尔效应的基本理论范德堡测试技术霍尔效应的测试系统霍尔效应测试仪的结构霍尔效应仪的灵敏度霍尔效应的样品和测试霍尔效应测试的样品结构 霍尔效应测试的测准条件霍尔效应测试步骤霍尔效应测试的应用和实例硅的杂质补偿度测量znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测量硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量深能级瞬态谱测试的基本原理陷阱中心的基本电学性质陷阱对自由载流子的俘获和发射陷阱中心引起的电容瞬态变化深能级瞬态谱测试技术深能级瞬态谱测试信号的分析俘获截面和能级位置的测量陷阱深度分布的测量电场效应和德拜效应的测量扩展缺陷的DLTS谱特征深能级瞬态谱测试系统及品质因子深能级瞬态谱测试样品红外光谱测试原理红外光谱测试的基本分类傅里叶变换红外光谱测试的基本原理傅里叶变换红外光谱测试的特点傅里叶变换红外光谱的测试系统红外光谱测试的样品和影响因素测试样品制备测试影响因素傅里叶红外光谱的应用和实例 硅晶体中杂质和缺陷的测量砷化镓中杂质和缺陷的测量锗中杂质的测量氮化镓中杂质的测量 包括：什么是可靠性、可靠性与质量之间的关系、可靠性与质量控制之间的关系、可靠性指标、可靠性特征量的分布、置信度和抽样定理、器件研制和生产中的可靠性控制。 第二节 常规半导体器件性能退化机制（编写人 仇方圆） MOS器件退化机制、太阳电池器件退化机理、静电放电损伤、电极系统退化失效机理等。 第三节 半导体器件可靠性筛选技术 （编写人 仇方圆） 包括：日查、电筛选、环境筛选（温度循环、热冲击、机械冲击、匀加速、变频振动、湿度筛选、红外筛选）等；环境模拟测试、寿命测试、 第四节 半导体器件性能失效分析技术。（编写人 包老师） 包括打开封装、去钝化层、去金属层、剖切面（机械切剖）、染色、观测 第六节 半导体组件可靠性分析测试技术（编写人 包老师） 第五章 半导体集成电路测试技术 第一节 集成电路测试概述半导体晶体的高分辨X射线衍射半导体晶体结构与结构缺陷X射线平面波的衍射高分辨X射线衍射的限束异质外延多层膜的X射线双晶衍射三轴衍射晶格参数的精确测量镶嵌结构的测量镜面反射与面内掠入射 光学性质检测分析半导体光致发光半导体的阴极荧光吸引光谱及其相关的薄膜光谱测量方法拉曼散射紫外-可见吸收光谱测试光致荧光谱测试第 表面和薄膜成分分析俄歇电子能谱X射线光电子谱二次离子质谱卢瑟福背散射SIMS 分析技术的原理和方法 第四节 半导体扫描隧道显微镜的基本原理用STM分析表面结构 扫描隧道谱弹道电子发射显微镜原子力显微镜原子力显微镜用于表面分析扫描电容显微镜静电力显微镜磁力显微镜扫描近场光学显微镜透射电子显微透射电子显微镜的基本构造及工作原理显微像衬度