改良西门子法尾气处理及氢气净化工艺.pdfVIP

第2期 杨紫琪：改 良西门子法尾气处理及氢气净化工艺 ·143 · 改 良西门子法尾气处理及氢气净化工艺 杨紫琪 (黄河水电光伏产业技术有限公司，青海 西宁 810000) 摘要：简单介绍了多晶硅生产采用的改 良西门子法，着重介绍了尾气处理及氢气净化的原理、工艺流程及还原炉尾气处理实例。 关键词：多晶硅；尾气；净化 中图分类号：TQ127．2 文献标识码 ：A 文章编号：1008—021x(2015)02—0143—03 进入新世纪以来，太阳能的研究和利用成为人类能源发 精馏塔提纯后 ，制成高纯度的SiHCI，(分为太阳能级和电子 展的主要方向，目前95％以上的太阳能电池都以硅为基础材 级纯度)，SiHC1，在钟罩式还原炉内与H2(氢气)在高温环境 料，高纯多晶硅材料更是微电子大厦的基石，是电子信息产 下进行 CVD(化学气相沉积)反应生成多晶硅。还原炉尾气 业最重要的基础材料。目前全世界 75％以上的多晶硅企业 中的大量H 和HC1以及氯硅烷混合物经过尾气处理及氢气 采用改良西门子法生产 。 净化工艺后循环利用 。 改良西门子法生产多晶硅的流程如下：工业硅粉与氯化 其工艺流程如图 1所示。 氢(HC1)发生合成反应，生成三氯氢硅 (SiHC1，)、四氯化硅 (SiCI4)和二氯二氢硅 (Sillch)组成的氯硅烷混合物，送至 图1 改 良西门子法生产工艺流程图 1 改良西门子法处理还原炉尾气原理 统 ，实现循环利用。主要原理如下 ： 多晶硅还原炉生产尾气的主要成分是 H2、HC1、SiHC1，、 (1)气体混合物中各组分沸点的差别 (H：和 HCL与其 Sill2C12、和SiCI。利用物料的性质，通过吸收、解析、吸附、 它组分比沸点的差别非常大，如图2所示)，故先将高沸点的 脱附等原理进行分离 ，并将H2送回CVD还原炉；将 SiHC1，、 组分进行分离，然后再进行分离低沸点的组分。 Sill：C1、和SiCI4送回精馏进行再分离；将 HC1送回生产系 物质 H2 HCL SiHC13 Sill2C12 SiC14 沸点 一253．7 —85．0 8．3 31．8 57．6 图2 尾气各组分沸点 (单位：℃) 收稿 日期：2014—11—14 作者简介：杨紫琪 (1990一)，女，陕西西安人 ，助理工程师，主要从事多晶硅生产技术及研发。 山 东 化 工 · 144 · SHANDONGCHEMICALINDUSTRY 2015年第 44卷 (2)利用气体混合物 ( 和HCL)中各组分在 SiC1溶 2．1 尾气初分离 剂中的溶解度不同，分离H 和HCL。 还原炉尾气首先经过冷却换热器后进入烟气吸收塔，冷 (3)利用活性炭多孔固体能够从混合流体物中选择性 凝后的液态氯硅烷经塔底返回生产系统，H 和HCL及微量 地凝聚一定组分在其表面上的能力，使 H：(含有微量的HC1 的SiHC1，、SillC12、SiC1气相从塔顶出来后经过RF3冷凝器 气体和氯硅烷)混合物达到分离净化的目的。 将第一次未冷凝的氯硅烷再次冷凝回流至塔内，确保H。和 2 改良西门子法处理还原炉尾气工艺流程 I-ICE的纯度并送往下一单元。其工艺流程如图3所示。