n-ZnO%2fi-MgZnO%2fn-GaN异质结电致紫外发光.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 n-ZnO／i—MgZnO／n．GaN异质结电致紫外发光 李颂战方国家龙浩黄辉晖莫小明于皓宁赵兴中 武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072 摘要：采片：j射频磁摔溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n．GaN同型异质结紫外发光_二极管。在此基 V，根据能 的紫外电致发光性能。发光峰位于368nm附近，半岛宽约7nm，器件的闽值电压是3．0 带结构理论研究了器件的电致发光机制。 关键词：ZnO；同型异质结；紫外；电致发光 1．引言 紫外发光二极管存诸多方面拥有f。分重要的应用，如固态光源、紫外光刻、高密度数据存储、生 物医学分析掣11。近年来，关于P．n异质结紫外发光二极管已有诸多报道，其中涉及多种p型材州Ml， 电阻率且性质稳定、质量高的P型材料仍存在较大的困难【5】。然而，高质量的n型材料却是很容易获得 的，这就为n．nI一型异质结发光二极管的研制提供了材料基础。在众多的n型材料中，n型GaN在发光_二 极管应用方面十分具有竞争力，具有高载流子迁移率的n型GaN很容易实现，在T业生产中已经得到 广泛的使用。而ZnO因其宽禁带和高激子结合能等优点也吸引了众多研究者的目光。然而关于 薄膜之间插入一层MgZnO用于阻挡电子，强烈的紫外发射从这些同型异质结器件中观测到。本文研究 Tn．ZnO／i．MgZnO／n．GaN发光二极管的电致发光特性，特别是对异质结发光二极管的紫外电致发光 的机制进行了讨论。 2．实验方法 Qcm。n 商业化的牛长在篮宅石基片上的n型GaN作为衬底，n型GaN的电阻率是1．67x10-2 型ZnO薄膜是使用ZnO陶瓷靶采用射频磁控溅射法在氩气和氧气的混合气氛中制备，衬底温度为 nl／l。 300。C。MgZnO薄膜是通过反应磁控溅射方法在衬底温度300。C的条件下沉积的，其厚度大约40 最后采用直流磁控溅射法将Ag电极沉积在ZnO层上，ln沉积在GaN层上作为另一个电极。异质 4200．SCS型半导体特性分析系统测最。器件的电致发光特性 结二极管的伏安(1-Ⅵ特性采用Keithley nm。 是使用Acton 2500i光栅光谱仪在室温条件下测量的，测量步长为0．1 SpectraPro 3．结果与讨论 nmo lira。最后用直流磁控溅 构的，其结晶质量高并具有高度的c轴择优取向。MgZnO薄膜厚度大约40 射法在ZnO层上沉积Ag电极，IIl沉积在GaN层卜作为另一个电极。 图l中n-ZnO／i．MgZnO／n．GaN异质结二极管的伏安特性曲线显示是典型的背靠背二极管特 成两个背靠背肖特基二极管的串联。图1左上角的插图是电极接触特性曲线。Ag与n型ZnO、In 与n型GaN的接触特性曲线都是线性的，表明它们之间足欧姆接触，从而说明了器件的伏安特性反 映的是r1．n结的整流行为。 膏宁2010 [＆。竺 300 400 500∞07∞ WavelengthInm】 啊In-Z．O／i-M【EZnO／n-GaNRm#=＆*∞据女# 盥2_{n洲-Mgz删州=撮管Ⅱ}日#珈bM t